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公开(公告)号:CN104944962B
公开(公告)日:2017-08-15
申请号:CN201510284772.7
申请日:2015-05-29
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末的制备方法,其特征在于,首先,采用聚乙烯醇对氮化硅陶瓷粉末预处理,得到预处理氮化硅陶瓷粉末;然后,在研磨机中,按质量百分比加入,预处理氮化硅陶瓷粉末:80%~85%,酚醛树脂:4%~8%,聚乙烯醇缩丁醛:2%~5%,三亚乙基四胺:0.8%~3%,开启研磨机转速在250转/分钟,研磨5min,再加入丙酮:7%~12%,各组分之和为百分之百,研磨机转速在250转/分钟,再研磨40~60min,干燥,得到激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末。该材料在激光烧结下可直接成型,成型精度高,而且具有制备工艺简单,条件易于控制,生产成本低,易于工业化生产。
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公开(公告)号:CN104744049A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201510125381.0
申请日:2015-03-23
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64 , B33Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种激光烧结3D打印快速成型氮化硅粉末材料的制备方法,其特征在于,首先,采用γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷在乙醇溶剂中对氮化硅陶瓷粉末进行预处理,得到预处理氮化硅陶瓷粉末;然后,在研磨机中,按质量百分比加入,预处理氮化硅陶瓷粉末:75%~88%,酚醛树脂:5%~15%,三聚氰胺:0.5%~1.5%,三硬脂酸甘油酯:0.2%~1.5%,开启研磨机转速在200转/分钟,研磨10min,再加入丙酮:5%~15%,各组分之和为百分之百,开启研磨机转速在200转/分钟,研磨30min,干燥,得到激光烧结3D打印快速成型氮化硅粉末材料,该材料在激光烧结下可直接成型,具有制备工艺简单,条件易于控制,生产成本低,易于工业化生产。
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公开(公告)号:CN104944962A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201510284772.7
申请日:2015-05-29
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末的制备方法,其特征在于,首先,采用聚乙烯醇对氮化硅陶瓷粉末预处理,得到预处理氮化硅陶瓷粉末;然后,在研磨机中,按质量百分比加入,预处理氮化硅陶瓷粉末:80%~85%,酚醛树脂:4%~8%,聚乙烯醇缩丁醛:2%~5%,三亚乙基四胺:0.8%~3%,开启研磨机转速在250转/分钟,研磨5min,再加入丙酮:7%~12%,各组分之和为百分之百,研磨机转速在250转/分钟,再研磨40~60min,干燥,得到激光烧结快速成型氮化硅陶瓷粉末。该材料在激光烧结下可直接成型,成型精度高,而且具有制备工艺简单,条件易于控制,生产成本低,易于工业化生产。
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公开(公告)号:CN104744049B
公开(公告)日:2016-10-19
申请号:CN201510125381.0
申请日:2015-03-23
Applicant: 济南大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64 , B33Y10/00
Abstract: 本发明公开了一种激光烧结3D打印快速成型氮化硅粉末材料的制备方法,其特征在于,首先,采用γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷在乙醇溶剂中对氮化硅陶瓷粉末进行预处理,得到预处理氮化硅陶瓷粉末;然后,在研磨机中,按质量百分比加入,预处理氮化硅陶瓷粉末:75%~88%,酚醛树脂:5%~15%,三聚氰胺:0.5%~1.5%,三硬脂酸甘油酯:0.2%~1.5%,开启研磨机转速在200转/分钟,研磨10min,再加入丙酮:5%~15%,各组分之和为百分之百,开启研磨机转速在200转/分钟,研磨30min,干燥,得到激光烧结3D打印快速成型氮化硅粉末材料,该材料在激光烧结下可直接成型,具有制备工艺简单,条件易于控制,生产成本低,易于工业化生产。
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