微电子温度传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN105967136A

    公开(公告)日:2016-09-28

    申请号:CN201610305557.5

    申请日:2016-05-10

    Inventor: 蔡春华 杨栋

    CPC classification number: B81B3/0024 B81C3/001 G01K7/343

    Abstract: 本发明公开了一种微电子温度传感器及其制备方法,具体是一种基于post‑COMS MEMS微加工技术的氧化石墨烯电容式温度传感器,由于氧化石墨烯材料是具有很高介电常数,且介电常数值随温度变化迅速变化的新型纳米材料。相比常用的Pt电阻,PN结等温度传感器,该温度传感器由于没有电流通过器件,避免了测量时候自加热效应对于测量过程的影响,从而使其具有测量误差小、热损耗低、动态响应时间短等优点。且由于氧化石墨烯在低温时,其介电常数随着温度上升而迅速上升,其实现了在低温检测所需高灵敏度温度传感器的一种方法。结合post‑COMS MEMS微加工技术,该温度传感器体积小,成本低,响应时间短。

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