公开(公告)号：CN102602124B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210072377.9

申请日：2012-03-19

Applicant: 河海大学常州校区

Inventor： 孙洪文 ,  仇浩 ,  朱玉峰 ,  万萍 ,  范瑞

IPC: B41C1/00 ,  B41K1/02

Abstract: 本发明公开了一种制备易脱模纳米压印印章的方法，该方法的工艺步骤如下：a、利用低熔点的金属加工形成原始印章；b、将原始印章隔空倒置，对原始印章凸起部分的根部、中部和顶端分别采用数量逐渐增加的加热热源进行加热，使得印章凸起部分的顶端比根部尖；c、冷却定形后，得到该纳米压印印章。本发明工艺过程比较简单方便，而且有利于纳米压印时脱模。

公开(公告)号：CN102602124A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210072377.9

申请日：2012-03-19

Applicant: 河海大学常州校区

Inventor： 孙洪文 ,  仇浩 ,  朱玉峰 ,  万萍 ,  范瑞

IPC: B41C1/00 ,  B41K1/02

Abstract: 本发明公开了一种制备易脱模纳米压印印章的方法，该方法的工艺步骤如下：a、利用低熔点的金属加工形成原始印章；b、将原始印章隔空倒置，对原始印章凸起部分的根部、中部和顶端分别采用数量逐渐增加的加热热源进行加热，使得印章凸起部分的顶端比根部尖；c、冷却定形后，得到该纳米压印印章。本发明工艺过程比较简单方便，而且有利于纳米压印时脱模。

公开(公告)号：CN102593192A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210072386.8

申请日：2012-03-19

Applicant: 河海大学常州校区

Inventor： 孙洪文 ,  朱玉峰 ,  仇浩 ,  万萍 ,  范瑞

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明公开了一种基于异向介质的光电器件抗反射层结构，该抗反射层由具有负介电常数和负磁导率的异向介质材料制成，且异向介质呈周期性排列结构。本发明使得光电器件具有更高的抗反射能力，能够提高光电器件的光电转换效率。