公开(公告)号：CN103664190A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310631184.7

申请日：2013-11-26

Applicant: 河海大学

Inventor： 应国兵 ,  王鹏举 ,  王乘 ,  吴玉萍 ,  李嘉 ,  赵海伟 ,  郭文敏

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：凝胶的制备、坯体的成型、坯体的干燥、坯体的排胶、坯体的烧结。本发明提供的多孔氮化硅陶瓷的制备方法生产工艺的可控，在正常室温条件下干燥即可，工艺简单，成本低，可以实现几乎任意大尺寸部件净尺寸成型，制得的多孔氮化硅陶瓷孔隙率高、介电性能好、力学性能优异，采用该方法制备的多孔氮化硅陶瓷的气孔率在5～85%之间，抗弯强度为15～595MPa，断裂韧性为0.5～4.5MPa.m1/2，介电常数为1.6～5，介电损耗为1×10-4～15×10-3。

公开(公告)号：CN103664190B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201310631184.7

申请日：2013-11-26

Applicant: 河海大学

Inventor： 应国兵 ,  王鹏举 ,  王乘 ,  吴玉萍 ,  李嘉 ,  赵海伟 ,  郭文敏

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：凝胶的制备、坯体的成型、坯体的干燥、坯体的排胶、坯体的烧结。本发明提供的多孔氮化硅陶瓷的制备方法生产工艺的可控，在正常室温条件下干燥即可，工艺简单，成本低，可以实现几乎任意大尺寸部件净尺寸成型，制得的多孔氮化硅陶瓷孔隙率高、介电性能好、力学性能优异，采用该方法制备的多孔氮化硅陶瓷的气孔率在5～85%之间，抗弯强度为15～595MPa，断裂韧性为0.5～4.5MPa.m1/2，介电常数为1.6～5，介电损耗为1×10-4～15×10-3。

公开(公告)号：CN103922748A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410095989.9

申请日：2014-03-14

Applicant: 河海大学

Inventor： 应国兵 ,  王鹏举 ,  田宝娜 ,  王乘 ,  吴玉萍 ,  李嘉 ,  赵海伟

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B38/08

Abstract: 本发明提供的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法，包括凝胶的制备、添加造孔剂、坯体的成型、坯体的干燥、坯体的烧结等步骤。该方法采用凝胶注模法和添加造孔剂法的组合，工艺简单、成本低、排胶时间大大缩短，制得的多孔氮化硅陶瓷孔隙率大、弯曲强度高、力学性能好。

公开(公告)号：CN103922748B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410095989.9

申请日：2014-03-14

Applicant: 河海大学

Inventor： 应国兵 ,  王鹏举 ,  田宝娜 ,  王乘 ,  吴玉萍 ,  李嘉 ,  赵海伟

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B38/08

Abstract: 本发明提供的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法，包括凝胶的制备、添加造孔剂、坯体的成型、坯体的干燥、坯体的烧结等步骤。该方法采用凝胶注模法和添加造孔剂法的组合，工艺简单、成本低、排胶时间大大缩短，制得的多孔氮化硅陶瓷孔隙率大、弯曲强度高、力学性能好。