公开(公告)号：CN117908755A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202211239115.7

申请日：2022-10-11

Applicant: 河海大学

Inventor： 叶保留 ,  江绪桢 ,  蔡淼

IPC: G06F3/06 ,  G06F16/13 ,  G06F16/172 ,  G06F16/22 ,  G06F16/901 ,  G06F16/903

Abstract: 本发明公开了一种基于非易失性内存的键值存储写优化方法，包括非易失性内存友好的缓存层：将日志结构合并树按照层进行划分，顶部若干层作为非易失性内的缓存树，在非易失性内存中使用持久内存表作为数据管理单元，并使用支持多版本并发控制的持久内存跳表对各层持久内存表进行索引；轻量级数据刷写算法：将键值对数据同步写入持久内存和易失性内存，实现高速数据刷写；列表压缩算法：仅通过重建索引对持久内存表归并压缩，避免重写数据；基于最近最少使用的缓存溢出策略：充分利用数据局部性以降低固态硬盘写入量。本发明充分利用非易失性内存特性优化了日志结构合并树键值存储的写性能，降低了写放大并减少了因固态硬盘性能瓶颈导致的写停滞。