公开(公告)号：CN117626421A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311753872.0

申请日：2023-12-20

Applicant: 河南黄河旋风股份有限公司

Inventor： 来洋 ,  武玺旺 ,  鲁新如 ,  乔之钰 ,  朱叶飞 ,  庞文龙 ,  袁超峰 ,  鲁海霞 ,  曹河周 ,  周亚杉

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/04 ,  C23C14/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种降低CVD单晶金刚石生长过程中应力的方法，包括以下步骤：（1）清洗单晶金刚石籽晶及铜箔组件；（2）将单晶金刚石籽晶非生长面进行刻蚀处理；（3）在单晶金刚石籽晶刻蚀面表面镀覆金属Mo层；(4)等离子表面碳化处理生成金属碳化物层；(5)将处理后的单晶金刚石籽晶与金属铜箔对齐高温固化，利用化学气相沉积炉进行焊接并完成键合；（6）通过生长获得低应力单晶金刚石。本发明旨在稳定单晶金刚石籽晶与样品生长台之间的传热，减少单晶金刚石表面生长温度梯度，降低CVD单晶金刚石生长过程中的应力累积。