公开(公告)号：CN105762210B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610270035.6

申请日：2016-04-26

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  程轲 ,  韩凯凯

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明属于一种用于太阳能电池吸收层的铜铟镓硒薄膜的制备方法，包括以下步骤：①在镀钼的钠钙玻璃基底上制备铜铟镓预置层；②将铜铟镓预置层放入快速退火炉中，25‑30s内升温至280~285℃，保温20‑30min，然后采用固态硒源在560‑565℃下硒化20~30 min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒薄膜。本发明利用直流磁控共溅射技术在溅射有钼的玻璃基底上溅射特定比例的CuIn和CuGa合金靶，得到Cu‑In‑Ga的混合金属预制层，通过后期特定工艺条件下的高温快速硒化处理，成功制备了高质量的CIGS吸收层材料；利用该CIGS吸收层材料组配的CIGS薄膜光伏器件，转换效率在11%以上。

公开(公告)号：CN105762210A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610270035.6

申请日：2016-04-26

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  程轲 ,  韩凯凯

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于一种用于太阳能电池吸收层的铜铟镓硒薄膜的制备方法，包括以下步骤：①在镀钼的钠钙玻璃基底上制备铜铟镓预置层；②将铜铟镓预置层放入快速退火炉中，25?30s内升温至280~285℃，保温20?30min，然后采用固态硒源在560?565℃下硒化20~30 min，自然冷却至室温，即可得到铜铟镓硒薄膜。本发明利用直流磁控共溅射技术在溅射有钼的玻璃基底上溅射特定比例的CuIn和CuGa合金靶，得到Cu?In?Ga的混合金属预制层，通过后期特定工艺条件下的高温快速硒化处理，成功制备了高质量的CIGS吸收层材料；利用该CIGS吸收层材料组配的CIGS薄膜光伏器件，转换效率在11%以上。