公开(公告)号：CN105514211B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510952140.3

申请日：2015-12-18

Applicant: 河南大学

Inventor： 张新安 ,  赵俊威 ,  李爽 ,  张伟风

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种栅压控制的透明场效应紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：衬底，为ITO导电玻璃；所述ITO导电玻璃上层ITO导电膜为ITO栅电极；栅电极绝缘层，为ZrO2膜，位于所述ITO栅电极上；有源层，为InZnO膜，位于所述栅电极绝缘层上；源电极、漏电极，均为InZnO膜，分别与所述有源层连接。该紫外探测器为整体全透明器件，透光性好；通过控制栅压大小调整器件工作状态，全透明紫外探测器和晶体管放大增益特性于一体，采用平面制备工艺，具有结构简单快捷，响应速度快，工作频带宽等优点，可以获得高速、大增益的紫外探测器件，在通信和检测领域有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105489656A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201610031330.6

申请日：2016-01-15

Applicant: 河南大学

Inventor： 张新安 ,  赵俊威 ,  李爽 ,  张伟风

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明公开了一种P型氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管包括重掺杂硅衬底，该重掺杂硅衬底同时作为栅电极使用；绝缘层，为绝缘氧化物膜，位于所述栅电极上；有源层，为P型铜铁矿结构氧化物膜，位于所述绝缘层上；源电极、漏电极，均为Cu膜，分别位于所述有源层上；P型铜铁矿结构氧化物膜的材料为CuAlO2、CuInO2或CuGaO2。P型铜铁矿结构氧化物膜作为有源层呈现稳定的P型半导体特性，使得其价带顶频带展宽，空穴迁移率高；该薄膜晶体管结构简单，制备工艺与微电子工艺兼容、化学稳定性好，具有很好的电学性质，在有机发光二极管显示和互补型氧化物半导体电子电路及透明电子电路中具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105514172B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510952139.0

申请日：2015-12-18

Applicant: 河南大学

Inventor： 张新安 ,  赵俊威 ,  李爽 ,  张伟风

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种低电压透明氧化物薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管包括：衬底，为ITO导电玻璃；所述ITO导电玻璃上层ITO导电膜为ITO栅电极；栅电极绝缘层，为透明ZrO2膜，位于所述ITO栅电极上；有源层，为透明氧化物膜，位于所述栅电极绝缘层上；源电极、漏电极，均为透明ITO膜，分别位于所述有源层上。该透明氧化物薄膜晶体管以高介电常数ZrO2膜为栅电极绝缘层，实现了薄膜晶体管的全透明性和低电压开启特性，具有较高的开关比、载流子迁移率，在平板显示、透明电子器件和柔性显示等领域具有广泛的应用前景；采用其作为像素开关，大大提高了有源矩阵的开口率，从而提高了亮度，降低了功耗。

公开(公告)号：CN105514211A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510952140.3

申请日：2015-12-18

Applicant: 河南大学

Inventor： 张新安 ,  赵俊威 ,  李爽 ,  张伟风

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1136 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1832

Abstract: 本发明公开了一种栅压控制的透明场效应紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：衬底，为ITO导电玻璃；所述ITO导电玻璃上层ITO导电膜为ITO栅电极；栅电极绝缘层，为ZrO2膜，位于所述ITO栅电极上；有源层，为InZnO膜，位于所述栅电极绝缘层上；源电极、漏电极，均为InZnO膜，分别与所述有源层连接。该紫外探测器为整体全透明器件，透光性好；通过控制栅压大小调整器件工作状态，全透明紫外探测器和晶体管放大增益特性于一体，采用平面制备工艺，具有结构简单快捷，响应速度快，工作频带宽等优点，可以获得高速、大增益的紫外探测器件，在通信和检测领域有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN105514172A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510952139.0

申请日：2015-12-18

Applicant: 河南大学

Inventor： 张新安 ,  赵俊威 ,  李爽 ,  张伟风

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明公开了一种低电压透明氧化物薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管包括：衬底，为ITO导电玻璃；所述ITO导电玻璃上层ITO导电膜为ITO栅电极；栅电极绝缘层，为透明ZrO2膜，位于所述ITO栅电极上；有源层，为透明氧化物膜，位于所述栅电极绝缘层上；源电极、漏电极，均为透明ITO膜，分别位于所述有源层上。该透明氧化物薄膜晶体管以高介电常数ZrO2膜为栅电极绝缘层，实现了薄膜晶体管的全透明性和低电压开启特性，具有较高的开关比、载流子迁移率，在平板显示、透明电子器件和柔性显示等领域具有广泛的应用前景；采用其作为像素开关，大大提高了有源矩阵的开口率，从而提高了亮度，降低了功耗。