公开(公告)号：CN105932093B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201610263497.5

申请日：2016-04-26

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  程轲 ,  胡俊霞

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明属于一种高质量CIGS薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，包括以下步骤：①提供基底，利用铜铟镓合金靶，采用磁控溅射法在基底上形成铜铟镓合金预制层，铜铟镓合金靶的原子数为Cu:In:Ga=50:35:15；②将铜铟镓合金预制层放入快速退火炉中，35~40s内升温至545~555℃，然后采用固态硒源在545~555℃下硒化20~30 min，自然冷却至室温，即可得到CIGS薄膜太阳能电池吸收层。本发明采用特定比例的铜铟镓三元合金靶，解决了多步溅射的生产成本较高的问题，并避免了高毒、高污染H2Se气体的使用，通过严格的硒化工艺条件得到电池级高质量的CIGS薄膜太阳能电池吸收层材料。

公开(公告)号：CN105932093A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610263497.5

申请日：2016-04-26

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  程轲 ,  胡俊霞

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/02

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1864 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于一种高质量CIGS薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，包括以下步骤：①提供基底，利用铜铟镓合金靶，采用磁控溅射法在基底上形成铜铟镓合金预制层，铜铟镓合金靶的原子数为Cu:In:Ga=50:35:15；②将铜铟镓合金预制层放入快速退火炉中，35~40s内升温至545~555℃，然后采用固态硒源在545~555 ℃下硒化20~30 min，自然冷却至室温，即可得到CIGS薄膜太阳能电池吸收层。本发明采用特定比例的铜铟镓三元合金靶，解决了多步溅射的生产成本较高的问题，并避免了高毒、高污染H2Se气体的使用，通过严格的硒化工艺条件得到电池级高质量的CIGS薄膜太阳能电池吸收层材料。