-
公开(公告)号：CN105206750B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201510577778.3
申请日：2015-09-11
Applicant: 河南大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于属于纳米材料与器件技术领域，具体涉及一种聚烷基噻吩纳米线－硒化镉纳米花耦合复合纳米材料及其制备方法和应用。本发明通过聚烷基噻吩纳米线作为电子给体，以硒化镉纳米花作为电子受体和传输体，纳米线与纳米花之间通过耦合成键进行复合杂化形成的复合纳米材料，具有高的电荷迁移率、光生电荷界面转移能力和高的电荷输运性能，可用作有机无机杂化薄膜太阳能电池的光敏层，提高器件效率。
-
公开(公告)号：CN105206750A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510577778.3
申请日：2015-09-11
Applicant: 河南大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0032 , H01L51/42
Abstract: 本发明属于纳米材料与器件技术领域，具体涉及一种聚烷基噻吩纳米线－硒化镉纳米花耦合复合纳米材料及其制备方法和应用。本发明通过聚烷基噻吩纳米线作为电子给体，以硒化镉纳米花作为电子受体和传输体，纳米线与纳米花之间通过耦合成键进行复合杂化形成的复合纳米材料，具有高的电荷迁移率、光生电荷界面转移能力和高的电荷输运性能，可用作有机无机杂化薄膜太阳能电池的光敏层，提高器件效率。
-
公开(公告)号：CN104022223A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410238176.0
申请日：2014-05-27
Applicant: 河南大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L31/0296 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于一种核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体，所述核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体是以纳米四角体硒化镉为核，硫化铅包覆生长于纳米四角体硒化镉表面;硒化镉与硫化铅的质量比为1﹕3~32﹕1。通过低温热注入前驱体溶液在已成纳米四角体表面外延生长第二相材料从而获得核壳结构纳米硒化镉/硫化铅纳米四角体。本发明可以在温和条件下，通过了过程可控的二次热注入方式，在已有纳米四角体表面高质量地外延生长第二相壳层材料，制得的核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体具有高的电荷传输能力。
-
公开(公告)号：CN104022223B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410238176.0
申请日：2014-05-27
Applicant: 河南大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于一种核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体，所述核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体是以纳米四角体硒化镉为核，硫化铅包覆生长于纳米四角体硒化镉表面;硒化镉与硫化铅的质量比为1﹕3~32﹕1。通过低温热注入前驱体溶液在已成纳米四角体表面外延生长第二相材料从而获得核壳结构纳米硒化镉/硫化铅纳米四角体。本发明可以在温和条件下，通过了过程可控的二次热注入方式，在已有纳米四角体表面高质量地外延生长第二相壳层材料，制得的核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体具有高的电荷传输能力。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.017 seconds)
