公开(公告)号：CN110311043B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201910571261.1

申请日：2019-06-28

Applicant: 河南大学

Inventor： 刘向阳 ,  赵晓伟 ,  牛晨 ,  杨晓渡

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请公开了一种Sb‑SnO2纳米前驱体、利用其作为电子传输层制备钙钛矿太阳能电池的方法，所述太阳能电池的制备方法包括如下步骤：（1）在洁净ITO电极沉积Sb‑SnO2电子传输层；（2）在Sb‑SnO2电子传输层上沉积C60‑SAM界面钝化层；（3）在C60‑SAM界面钝化层沉积MA0.7FA0.3PbI3光敏层；（4）在光敏层上沉积Spiro‑OMeTAD空穴传输层；（5）在Spiro‑OMeTAD空穴传输层上蒸镀Au对电极。在实验室阶段平均光电转换效率已达20.83%，最佳光电转换效率已超过21.0%；优化所得器件在无封装条件下连续光照70小时后，其光电转换效率仍维持在初始效率的75%。

公开(公告)号：CN110311043A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910571261.1

申请日：2019-06-28

Applicant: 河南大学

Inventor： 刘向阳 ,  赵晓伟 ,  牛晨 ,  杨晓渡

IPC: H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请公开了一种Sb-SnO2纳米前驱体、利用其作为电子传输层制备钙钛矿太阳能电池的方法，所述太阳能电池的制备方法包括如下步骤：（1）在洁净ITO电极沉积Sb-SnO2电子传输层；（2）在Sb-SnO2电子传输层上沉积C60-SAM界面钝化层；（3）在C60-SAM界面钝化层沉积MA0.7FA0.3PbI3光敏层；（4）在光敏层上沉积Spiro-OMeTAD空穴传输层；（5）在Spiro-OMeTAD空穴传输层上蒸镀Au对电极。在实验室阶段平均光电转换效率已达20.83%，最佳光电转换效率已超过21.0%；优化所得器件在无封装条件下连续光照70小时后，其光电转换效率仍维持在初始效率的75%。