制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用

    公开(公告)号:CN105304732A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510598395.4

    申请日:2015-09-18

    发明人: 刘佳

    IPC分类号: H01L31/0224

    摘要: 本发明提供了制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用,该方法包括:(1)利用导电氧化物,在衬底的一个表面上进行沉积处理,以便形成沉积薄膜,沉积处理包括依次进行的一次沉积和二次沉积;以及(2)对沉积薄膜进行湿法蚀刻,以便形成透明导电氧化物薄膜,其中,一次沉积是在0~400摄氏度的温度下进行的,以及二次沉积是在400~800摄氏度的温度下进行的。发明人发现,利用本发明的该方法,能够快速有效地制备获得透明导电氧化物薄膜,且步骤简单,操作容易、方便快捷,制备获得的透明导电氧化物薄膜具有较高的光透过率、高雾度和较高的均匀性。

    制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用

    公开(公告)号:CN105304732B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201510598395.4

    申请日:2015-09-18

    发明人: 刘佳

    IPC分类号: H01L31/0224

    摘要: 本发明提供了制备透明导电氧化物薄膜的方法及其应用,该方法包括:(1)利用导电氧化物,在衬底的一个表面上进行沉积处理,以便形成沉积薄膜,沉积处理包括依次进行的一次沉积和二次沉积;以及(2)对沉积薄膜进行湿法蚀刻,以便形成透明导电氧化物薄膜,其中,一次沉积是在0~400摄氏度的温度下进行的,以及二次沉积是在400~800摄氏度的温度下进行的。发明人发现,利用本发明的该方法,能够快速有效地制备获得透明导电氧化物薄膜,且步骤简单,操作容易、方便快捷,制备获得的透明导电氧化物薄膜具有较高的光透过率、高雾度和较高的均匀性。