-
公开(公告)号：CN103474571B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201310442861.0
申请日：2013-09-26
Applicant: 河北大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公开了所述阻变存储元件的制备方法，其通过将自制的IGZO陶瓷靶材采用射频磁控溅射的方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片或Au/Ti/SiO2/Si基片上沉积形成a-IGZO层，然后进行高温退火处理，形成a-IGZO/Pt异质结构层或a-IGZO/Au异质结构层；然后将Ag上电极靶材采用直流磁控溅射的方法在a-IGZO层上沉积形成Ag上电极层，从而形成Ag/a-IGZO/Pt异质结构层或Ag/a-IGZO/Au异质结构层。本发明所制备的阻变存储元件性能稳定，具有较好的抗疲劳性以及保持特性。
-
公开(公告)号：CN104134542A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410358128.5
申请日：2014-07-25
Applicant: 河北大学
Abstract: 本发明公开了一种微波铁电复合薄膜电容器，其是以单晶基片为衬底、以1-3型微波铁电复合薄膜为介电层、以Pt、Au、Ag、Al、Cu、SrRuO或La0.5Sr0.5CoO3为电极的叉指结构的电容器。本发明所述的微波铁电复合薄膜电容器的介电层（掺杂低介电常数材料的BST复合薄膜）具有典型的1-3型复合结构，与普通以外延BST薄膜为介电层的电容器相比，具有明显更高的调谐率和更低的介电损耗。本发明同时公开了所述电容器的制备方法，其是采用磁控和脉冲激光共沉积的方法，在特定的条件及特定的基片上沉积制备得到1-3型复合薄膜，然后通过采用光刻工艺和磁控设备构建得到叉指结构的电容器，采用本发明的方法所制备的电容器具有更高的调谐率和更低的介电损耗。
-
公开(公告)号：CN103474571A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310442861.0
申请日：2013-09-26
Applicant: 河北大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储元件，其异质结构层形式为Ag/a-IGZO/Pt或Ag/a-IGZO/Au，其中的a-IGZO层为非晶的IGZO阻变存储层，所述a-IGZO层中In、Ga、Zn原子的摩尔比为1∶1∶1。本发明还公开了所述阻变存储元件的制备方法，其通过将自制的IGZO陶瓷靶材采用射频磁控溅射的方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片或Au/Ti/SiO2/Si基片上沉积形成a-IGZO层，然后进行高温退火处理，形成a-IGZO/Pt异质结构层或a-IGZO/Au异质结构层；然后将Ag上电极靶材采用直流磁控溅射的方法在在a-IGZO层上沉积形成Ag上电极层，从而形成Ag/a-IGZO/Pt异质结构层或Ag/a-IGZO/Au异质结构层。本发明所制备的阻变存储元件性能稳定，具有较好的抗疲劳性以及保持特性。
-
公开(公告)号：CN104134542B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410358128.5
申请日：2014-07-25
Applicant: 河北大学
Abstract: 本发明公开了一种微波铁电复合薄膜电容器，其是以单晶基片为衬底、以1‑3型微波铁电复合薄膜为介电层、以Pt、Au、Ag、Al、Cu、SrRuO或La0.5Sr0.5CoO3为电极的叉指结构的电容器。本发明所述的微波铁电复合薄膜电容器的介电层（掺杂低介电常数材料的BST复合薄膜）具有典型的1‑3型复合结构，与普通以外延BST薄膜为介电层的电容器相比，具有明显更高的调谐率和更低的介电损耗。本发明同时公开了所述电容器的制备方法，其是采用磁控和脉冲激光共沉积的方法，在特定的条件及特定的基片上沉积制备得到1‑3型复合薄膜，然后通过采用光刻工艺和磁控设备构建得到叉指结构的电容器，采用本发明的方法所制备的电容器具有更高的调谐率和更低的介电损耗。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.024 seconds)
