一种刺苦草育苗方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117502205A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311738184.7

    申请日:2023-12-18

    Abstract: 本发明涉及植物种植技术,具体涉及一种刺苦草育苗方法。所述刺苦草育苗方法包括以下步骤:在育苗池中铺设育苗基质;将刺苦草块茎埋入所述育苗基质中,所述刺苦草块茎埋入所述育苗基质中的深度为3‑5cm,相邻刺苦草的间隔距离为3‑5cm;向所述育苗池中放入清水,水深为10‑20cm;保持水深培育20‑40天,完成育苗。本发明充分利用了刺苦草块茎(冬芽)的生长特点及细沙不易粘附的特性,育苗成功率90%以上,起苗方便快捷,大大提高了劳动效率和小苗完整性。

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