公开(公告)号：CN119943859A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510087832.X

申请日：2025-01-20

Applicant: 江西理工大学

Inventor： 吴子平 ,  曾杰 ,  赵凌风 ,  胡英燕 ,  王子杭 ,  洪源昆 ,  刘亭 ,  刘先斌

IPC: H01M4/134 ,  H01M4/133 ,  H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/583 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/1393 ,  H01M10/0525 ,  C01B33/021 ,  C01B32/05

Abstract: 一种具备应力缓解作用的片状硅负极及其制备方法，涉及一种硅负极材料及其制备方法。通过在低温条件下酸性刻蚀合金硅，使金属元素从合金中脱除，得到均匀分布蜂窝结构的多孔硅颗粒，继而通过物理机械球磨将蜂窝结构多孔硅颗粒破裂，实现孔壁分离，得到平面结构片状硅。经过浆料浇铸和梯度热处理后，在片状硅表面包覆致密碳化保护层。制备的二维片状硅呈现不规则多边形结构，其典型厚度在10‑20 nm之间，横向尺寸在0.5‑1.5μm之间，可用作具有应力缓解作用的锂离子电池硅负极。本发明可以提高电极振实密度，同时实现密集和高效的电子/离子传输，二维片状硅在锂化过程中处于平面应力状态，具备应力缓解作用，显著改善循环过程中电极的力学性能。