一种NiO/Bi2MoO6异质结阵列及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117164023A

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202310561156.6

    申请日:2023-05-18

    摘要: 本发明属于气体传感材料制备领域,公开了一种NiO/Bi2MoO6异质结阵列及其制备方法和应用。本发明首先采用水热法在商用平板型Al2O3气敏基片表面原位生长Ni(OH)2纳米片阵列,然后通过氧化退火处理将Ni(OH)2纳米片阵列转化为多孔的NiO纳米片阵列,最后采用溶剂热法进一步在NiO纳米片阵列表面原位沉积Bi2MoO6纳米颗粒,制得NiO/Bi2MoO6异质结阵列。本发明的制备过程简单、成本低廉,风险性低。本发明制得的NiO/Bi2MoO6异质结阵列具有多孔结构和大的比表面积,以及具有良好的异质界面接触,可以在可见光激发下实现乙醚气体的室温高选择性检测。

    一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113981482A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111223023.5

    申请日:2021-10-20

    摘要: 本发明涉及纳米材料制备和应用领域,具体涉及一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列及其制备方法和应用。该纳米片阵列的制备方法简单,只需要水热反应结合后续磷化处理即可。该钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列包括泡沫镍基底和纳米片,所述纳米片以阵列形式近似垂直生长在泡沫镍基底上,纳米片的横向尺寸为0.5~2μm,厚度为5~20 nm;纳米片具有丰富的介孔,介孔的尺寸为2~5 nm。得益于其独特的二维介孔结构和均匀的钴元素掺杂,这种纳米片阵列在电催化HER、OER和全解水方面均具有优异的性能,优于目前报道的其它Cu3P基纳米材料。

    一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117105289A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202310569968.5

    申请日:2023-05-19

    IPC分类号: C01G53/04 C01G11/02 G01N27/12

    摘要: 本发明属于纳米材料异质结技术领域,具体涉及一种NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列及其制备方法和应用。其包括衬底以及原位生长在衬底表面的NiO/CdS异质结阵列;所述衬底为Al2O3气敏基片;所述NiO/CdS异质结阵列由NiO纳米片和CdS纳米颗粒构成,其中NiO纳米片为垂直交错生长的阵列结构,CdS纳米颗粒均匀的分散在NiO多孔纳米片表面。本发明的制备过程简单,成本低,本发明制备得到的NiO/CdS异质结阵列具有良好的异质界面接触,并且NiO/CdS异质结阵列中CdS纳米颗粒的尺寸和分布密度可以方便的调控,此外,NiO/CdS纳米颗粒异质结阵列可以应用在在室温气体传感中,具体在绿光激发下三乙胺的室温高选择性检测。

    一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN113981482B

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202111223023.5

    申请日:2021-10-20

    摘要: 本发明涉及纳米材料制备和应用领域,具体涉及一种钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列及其制备方法和应用。该纳米片阵列的制备方法简单,只需要水热反应结合后续磷化处理即可。该钴掺杂磷化铜二维介孔纳米片阵列包括泡沫镍基底和纳米片,所述纳米片以阵列形式近似垂直生长在泡沫镍基底上,纳米片的横向尺寸为0.5~2μm,厚度为5~20 nm;纳米片具有丰富的介孔,介孔的尺寸为2~5 nm。得益于其独特的二维介孔结构和均匀的钴元素掺杂,这种纳米片阵列在电催化HER、OER和全解水方面均具有优异的性能,优于目前报道的其它Cu3P基纳米材料。