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发明公开
一种半导体激光器及其制作方法及激光器阵列无效

公开(公告)号：CN104701734A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510105553.8

申请日：2015-03-10

Applicant: 江苏省邮电规划设计院有限责任公司

Inventor： 卢林林 , 魏贤虎 , 易准 , 俞力

IPC: H01S5/125 , H01S5/343 , H01S5/40

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器，在激光器取样光栅位置对称的设置3个2π/3相移，3个2π/3相移分别对称的设置在激光器腔长L的1/4、1/2、3/4处；所述取样光栅为布拉格光栅，且是等效相移光栅。本发明还公开了一种半导体激光器的制作方法。本发明还公开了一种半导体激光器的多波长半导体激光器阵列。

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