公开(公告)号：CN104465340A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410657178.3

申请日：2014-11-18

Applicant: 江苏大学

Inventor： 王权 ,  白冰 ,  徐琳 ,  刘帅 ,  郑蓓蓉 ,  薛伟

IPC: H01L21/04

CPC classification number: H01L21/0405

Abstract: 本发明公开一种纳电子器件领域中的调控石墨烯场效应晶体管磁滞行为的方法，在源极电极和漏极电极之间施加500mV的电压，在n型Si衬底和源极电极之间施加扫描电压-12V~12V，测试出漏源电流Isd和栅压Vg，绘制出Isd-Vg磁滞转移特性曲线，获得离子辐照停留时间为1μs时的对应的电压偏移量；再用聚焦离子束系统下的Ga离子对石墨烯沟道进行辐照1μs；得到对应的电压偏移量，继续增大离子辐照停留时间，直到100μs，得到一组电压偏移量；以离子辐照停留时间为横坐标，以一组电压偏移量为纵坐标，绘制出停留时间与磁滞行为的关系曲线；根据关系曲线，通过调控离子辐照停留时间的长短以调控磁滞行为的强弱。

公开(公告)号：CN104310305A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410582977.9

申请日：2014-10-28

Applicant: 江苏大学

Inventor： 王权 ,  白冰 ,  刘帅 ,  郑蓓蓉 ,  薛伟

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种基于飞秒激光的大规模阵列石墨烯纳机电谐振器制备方法，在SiO2/Si衬底的表面溅射TiW合金和Au，通过化学汽相淀积法制备出单层石墨烯薄膜，将单层石墨烯薄膜转移到TiW/Au连线之上；采用飞秒激光扫描切割相邻两个TiW/Au连线和相邻两个Au电极片之间的单层石墨烯薄膜区域，形成阵列石墨烯纳机电谐振器，飞秒激光能量密度大于0.16~0.21J/cm2；本发明结合传统的CMOS工艺与飞秒激光微加工技术该制备过程，完全采用自下而上的制备工艺，既不需要旋涂光刻胶，又规避了等离子体刻蚀，减少了对石墨烯的二次污染，大大提高了纳机电谐振器的谐振频率和品质因数，同时也极大降低了制作成本。

公开(公告)号：CN104310305B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201410582977.9

申请日：2014-10-28

Applicant: 江苏大学

Inventor： 王权 ,  白冰 ,  刘帅 ,  郑蓓蓉 ,  薛伟

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种基于飞秒激光的大规模阵列石墨烯纳机电谐振器制备方法，在SiO2/Si衬底的表面溅射TiW合金和Au，通过化学汽相淀积法制备出单层石墨烯薄膜，将单层石墨烯薄膜转移到TiW/Au连线之上；采用飞秒激光扫描切割相邻两个TiW/Au连线和相邻两个Au电极片之间的单层石墨烯薄膜区域，形成阵列石墨烯纳机电谐振器，飞秒激光能量密度大于0.16~0.21J/cm2；本发明结合传统的CMOS工艺与飞秒激光微加工技术该制备过程，完全采用自下而上的制备工艺，既不需要旋涂光刻胶，又规避了等离子体刻蚀，减少了对石墨烯的二次污染，大大提高了纳机电谐振器的谐振频率和品质因数，同时也极大降低了制作成本。