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公开(公告)号：CN106521547B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201610910674.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02E60/366
Abstract: 本发明涉及光电阳极，特指一种TiO2/RGO/C3N4复合电极的制备方法及用途。本发明首先采用通用的低温液相法经水热反应在FTO基片上制备出TiO2纳米棒阵列，继而利用旋凃法在其之上均匀地旋涂一层氧化石墨烯与氮化碳的混合物，最后将其在氮气保护下煅烧形成TiO2/RGO/C3N4复合电极。通过简单方便的方法在二氧化钛(TiO2)纳米棒阵列负载还原氧化石墨烯(RGO)和氮化碳(C3N4)的薄膜来扩大对太阳光的响应从而提高电极对太阳光的利用率。
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公开(公告)号：CN107265401B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201710374433.7
申请日：2017-05-24
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02E60/366 , Y02P20/135
Abstract: 本发明属于纳米材料合成技术领域，特指一种PDA/Bi‑AgIn5S8/TiO2异质结光电极及制备方法和用途。首先利用水热合成方法在FTO基片上合成二氧化钛(TiO2)纳米棒阵列，然后再利用水热合成方法在其之上均匀的形成一层Bi掺杂的Bi‑AgIn5S8，最后再使用化学浴沉积法(CBD)在Bi‑AgIn5S8表面形成一层连续的聚多巴胺(PDA)。在半导体表面涂覆一层PDA可以阻止其与水溶液的直接接触避免引起严重的光腐蚀，提高半导体稳定性。因此可以解决PEC分解水制氢的过程中，半导体AgIn5S8材料极易受到光腐蚀的影响而失活的问题，从而可以保持稳定长久的高产氢速率。
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公开(公告)号：CN107265401A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710374433.7
申请日：2017-05-24
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02E60/366 , Y02P20/135 , C25B11/0478 , B82Y40/00 , C25B1/003 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于纳米材料合成技术领域，特指一种PDA/Bi-AgIn5S8/TiO2异质结光电极及制备方法和用途。首先利用水热合成方法在FTO基片上合成二氧化钛(TiO2)纳米棒阵列，然后再利用水热合成方法在其之上均匀的形成一层Bi掺杂的Bi-AgIn5S8，最后再使用化学浴沉积法(CBD)在Bi-AgIn5S8表面形成一层连续的聚多巴胺(PDA)。在半导体表面涂覆一层PDA可以阻止其与水溶液的直接接触避免引起严重的光腐蚀，提高半导体稳定性。因此可以解决PEC分解水制氢的过程中，半导体AgIn5S8材料极易受到光腐蚀的影响而失活的问题，从而可以保持稳定长久的高产氢速率。
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公开(公告)号：CN106521547A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610910674.4
申请日：2016-10-19
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02E60/366 , C25B11/0405 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B11/0415 , C25B11/0478
Abstract: 本发明涉及光电阳极，特指一种TiO2/RGO/C3N4复合电极的制备方法及用途。本发明首先采用通用的低温液相法经水热反应在FTO基片上制备出TiO2纳米棒阵列，继而利用旋凃法在其之上均匀地旋涂一层氧化石墨烯与氮化碳的混合物，最后将其在氮气保护下煅烧形成TiO2/RGO/C3N4复合电极。通过简单方便的方法在二氧化钛(TiO2)纳米棒阵列负载还原氧化石墨烯(RGO)和氮化碳(C3N4)的薄膜来扩大对太阳光的响应从而提高电极对太阳光的利用率。
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