公开(公告)号：CN102175891B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201110000654.0

申请日：2011-01-05

Applicant: 江苏大学

Inventor： 王权 ,  胡然 ,  张进 ,  李昕欣 ,  杨平 ,  陈林

IPC: G01P15/18 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种用于消费类电子产品的三轴热对流加速度传感器芯片的制作方法，先在衬底单晶硅片表面形成高温氧化硅层，在高温氧化硅层上形成第一氮化硅层，再形成多晶硅温度敏感电阻和多晶硅加热电阻；开接触孔及形成金属互连线；最后制备复合悬臂梁结构和形成凹腔，键合成三轴热对流加速度传感器芯片；本发明利用与CMOS工艺兼容的表面微机械加工中复合薄膜内应力的不同，使得布置有热电堆的悬臂梁向下弯曲来测试Z轴的加速度。所制作的热对流加速度传感器芯片具有检测精度高，可靠性好，稳定性佳等优点，有利于实现芯片微型化和低成本化。

公开(公告)号：CN102175891A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110000654.0

申请日：2011-01-05

Applicant: 江苏大学

Inventor： 王权 ,  胡然 ,  张进 ,  李昕欣 ,  杨平 ,  陈林

IPC: G01P15/18 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开一种用于消费类电子产品的三轴热对流加速度传感器芯片的制作方法，先在衬底单晶硅片表面形成高温氧化硅层，在高温氧化硅层上形成第一氮化硅层，再形成多晶硅温度敏感电阻和多晶硅加热电阻；开接触孔及形成金属互连线；最后制备复合悬臂梁结构和形成凹腔，键合成三轴热对流加速度传感器芯片；本发明利用与CMOS工艺兼容的表面微机械加工中复合薄膜内应力的不同，使得布置有热电堆的悬臂梁向下弯曲来测试Z轴的加速度。所制作的热对流加速度传感器芯片具有检测精度高，可靠性好，稳定性佳等优点，有利于实现芯片微型化和低成本化。