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公开(公告)号:CN102581484A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201210052373.4
申请日:2012-03-02
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅基表面陷光结构,特指一种利用可见/近红外超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法,可适用于晶体硅和薄膜硅等硅基材料。本发明的目的是克服在先技术上的不足,提供一种利用超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法,无需气体或液体作为环境介质,通过表面贴膜法来实现硅基表面结构成形。
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公开(公告)号:CN102581484B
公开(公告)日:2014-12-03
申请号:CN201210052373.4
申请日:2012-03-02
Applicant: 江苏大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅基表面陷光结构,特指一种利用可见/近红外超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法,可适用于晶体硅和薄膜硅等硅基材料。本发明的目的是克服在先技术上的不足,提供一种利用超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法,无需气体或液体作为环境介质,通过表面贴膜法来实现硅基表面结构成形。
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