公开(公告)号：CN113572385A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202110669799.3

申请日：2021-06-17

Applicant: 江苏固德威电源科技股份有限公司

Inventor： 李娟 ,  程尧 ,  谢胜仁 ,  方刚 ,  黄敏 ,  曾维波

IPC: H02M7/5387 ,  H02M1/32 ,  H02J3/38

Abstract: 本发明涉及一种逆变电路，与母线相连接并采用H6拓扑结构或H6衍生拓扑结构，其包括由开关管串联构成的第一竖桥和第二竖桥，逆变电路还包括两个用于抑制由于第一竖桥或第二竖桥中开关管的断开速度差异所引起谐振现象的抑制器件，两个抑制器件分别跨接在第一竖桥与母线之间、第二竖桥与母线之间。两个抑制器件分别跨接在第一竖桥的输出节点与母线的中点之间、第二竖桥的输出节点与母线的中点之间。两个抑制器件为两个电容。本发明可以抑制电路正常工作时以内开关管关断速度差异所引起的谐振问题。

公开(公告)号：CN112865171A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011638059.5

申请日：2020-12-31

Applicant: 江苏固德威电源科技股份有限公司

Inventor： 谢胜仁 ,  李娟 ,  程尧 ,  方刚 ,  卢进军 ,  黄敏 ,  曾维波

IPC: H02J3/38 ,  H02M7/5387 ,  H02M7/5395

Abstract: 本发明提供的光伏并网逆变器，包括：接纳初级电能的输入端口、通往电网的输出端口、主回路，主回路包括heric逆变电路和滤波电路，通过使heric逆变电路的两个半桥分别由晶体管S1、S2和晶体管S3、S4构成，续流回路由晶体管S5、S6构成，使晶体管S1、S3、S5、S6为绝缘栅双极型晶体管IGBT，使晶体管S2、S4为硅金氧半场效晶体管Si MOSFET，使得逆变电路的每个半桥中均包括一个晶体管IGBT和一个晶体管Si MOSFET，由于晶体管IGBT的结电容比晶体管Si MOSFET的结电容小很多，串联后半桥的结电容会更小，进而减小了晶体管Si MOSFET的开关损耗；由于晶体管IGBT滞后于晶体管Si MOSFET关断，能够避免晶体管IGBT的电流拖尾现象，使得该逆变器的效率高、损耗小。

公开(公告)号：CN112865579A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011634727.7

申请日：2020-12-31

Applicant: 江苏固德威电源科技股份有限公司

Inventor： 谢胜仁 ,  李娟 ,  方刚 ,  卢进军 ,  黄敏 ,  曾维波

IPC: H02M7/5387 ,  H02M1/12 ,  H02J3/38

Abstract: 本发明提供的抑制共模漏电流的逆变电路，用于接纳初级电能侧输出的直流电并将其转化为交流电后输送至电网，其包括：全桥逆变电路、并联在全桥逆变电路上的抑流电路、控制电路和电流反馈电路，通过抑流电路上串联的抑流电容降低全桥逆变电路的共模漏电流，通过电流反馈电路将经过抑流电路的电流反馈给控制电路，使得全桥逆变电路的进网电流更加稳定，不再发生畸变，实现了该抑制共模漏电流的逆变电路转换效率高、共模漏电流小、进网电流质量好、系统稳定性好、电流环参数不受抑流电容影响的技术效果，本发明还提供一种包括该抑制共模漏电流的逆变电路的逆变器，该逆变器引入的器件与装置数量少，检测逻辑简单可靠，工程应用性高。