公开(公告)号：CN118580240A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202310181820.4

申请日：2023-03-01

Applicant: 江苏三月科技股份有限公司

Inventor： 李淼 ,  孙宝林 ,  尚书夏

IPC: C07D487/04 ,  C07D491/048 ,  C07D495/04 ,  C07D519/00 ,  H10K50/12 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明涉及一种芳香族胺类化合物及包含其的有机电致发光器件，属于半导体材料技术领域，本发明提供化合物的结构如通式(1)所示：#imgabs0#本发明芳香族胺类化合物具有优秀的空穴迁移率和电子阻挡特性，通过使用本发明的芳香族胺类化合物制备有机电致发光器件的发光辅助层材料时，可同时提高器件效率和延长器件寿命的效果，尤其是器件寿命提升效果非常显著。

公开(公告)号：CN118666790A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310241691.3

申请日：2023-03-14

Applicant: 江苏三月科技股份有限公司

Inventor： 孙宝林 ,  尚书夏 ,  王芳

IPC: C07D307/91 ,  C07D409/12 ,  C07D409/14 ,  C07D405/12 ,  C07D405/14 ,  H10K50/11 ,  H10K50/15 ,  H10K50/16 ,  H10K50/17 ,  H10K50/18 ,  H10K85/60 ,  H10K50/13

Abstract: 本发明公开了一种芳香族胺类化合物及其应用，属于有机电致发光材料技术领域。所述芳香族胺类化合物的结构如通式(1)所示：#imgabs0#所述芳香族胺类化合物应用于所述有机电致发光器件，所述的有机电致发光器件包括阳极、空穴传输区域、发光区域、电子传输区域和阴极，所述空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，所述电子阻挡层中包含所述的芳香族胺类化合物。所述芳香族胺类化合物在高电流密度下具有优异的空穴迁移率和激子阻挡能力，通过使用本发明所述的芳香族胺类化合物来形成有机电致发光器件的电子阻挡层材料时，显示出器件效率提升和寿命延长的效果，尤其是器件效率提升非常显著。

公开(公告)号：CN118580257A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410210952.X

申请日：2024-02-27

Applicant: 江苏三月科技股份有限公司

Inventor： 徐浩杰 ,  孙宝林 ,  曹旭东 ,  段炼

IPC: C07F5/02 ,  C09K11/06 ,  H10K50/12 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明涉及一种含硼共振型有机化合物及包含其的有机电致发光器件，属于半导体技术领域，本发明提供化合物的结构如通式(I)所示：#imgabs0#本发明的化合物作为OLED发光器件的发光层材料中的掺杂材料使用时，可用作有机电致发光器件的发光层绿光掺杂材料，从而提升器件的发光效率和寿命。