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1.

发明授权
使用改进的碳薄膜的场发射器件失效

公开(公告)号：CN1196156C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN98808023.0

申请日：1998-07-29

Applicant: 毫微-专卖股份有限公司

Inventor： 志丹·李·特尔

IPC: H01J1/02 , C23C16/26

CPC classification number: C23C16/26 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30453 , H01J2329/0444

Abstract: 一种场发射器件，该器件包括在衬底上的碳膜层，其中该碳膜层在1578～1620cm-1的范围内有第一紫外喇曼带，且该第一紫外喇曼带的最大高度的1/2处的全宽度(FWHM)为25～165cm-1。

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