公开(公告)号：CN119247615A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411361891.3

申请日：2024-09-27

Applicant: 武汉长盈通光电技术股份有限公司

Inventor： 廉正刚 ,  阮秋君 ,  皮亚斌

IPC: G02B23/26 ,  G02B23/24 ,  G02B6/02 ,  G02B6/255 ,  G02B6/25 ,  G02B6/26 ,  A61B1/04 ,  A61B1/00

Abstract: 一种多芯光纤的探入式成像方法及探入式成像装置，采用了一种多芯光纤的探入式成像装置，所述的多芯光纤的探入式成像装置包括多芯光纤包层、多芯光纤纤芯、光纤端面球体和反射面，多芯光纤包层包覆在多芯光纤纤芯外部，光纤端面球体位于多芯光纤端部，光纤端面球体是通过加热熔化多芯光纤一端直接形成，多芯光纤包括多芯光纤包层和多芯光纤纤芯；所述反射面是通过研磨光纤端面球体而形成的斜面；采用多芯光纤的探入式成像装置，通过在多芯光纤端面直接制备光学聚焦和反射部件，实现多芯光纤自身直接对信号进行聚焦、反射和传输，保证整体装置的结构紧凑性和制作简易性；多芯光纤可以获得观察面更多的像素点，提升成像图像的分辨率。