公开(公告)号：CN110776927A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201911058698.1

申请日：2019-10-31

Applicant: 武汉轻工大学

Inventor： 关金涛 ,  李诗妍 ,  洪磊 ,  刘豪浩 ,  王聪 ,  张智勇 ,  乔俊飞 ,  陈红梅 ,  蔡雄辉 ,  丁佩佩 ,  汪相如 ,  余承勇 ,  赵怿哲 ,  高时汉 ,  胡俊祥

IPC: C09K19/12 ,  C09K19/42

Abstract: 本发明公开一种异硫氰基含氟四联苯类液晶化合物及其制备方法、液晶组合物及应用，异硫氰基含氟四联苯类液晶化合物的结构中同时具有四联苯结构、烷基取代基、F原子以及-NCS等基团，四联苯结构使得所述液晶化合物具有光学各向异性大和的优点，烷基取代基能够降低液晶化合物的熔点，使得所述液晶化合物具有相对较低熔点的优势，F原子能增大液晶化合物的介电常数，-NCS基团延长了四联苯π-电子共轭体系的长度，能增大液晶化合物的光学各向异性，将该类液晶化合物应用到高介电各向异性液晶材料中时，由于这些基团的综合作用，有利于降低液晶微波器件的介电损耗，提高相位调制能力和提高液晶材料的品质因数。

公开(公告)号：CN110776927B

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN201911058698.1

申请日：2019-10-31

Applicant: 武汉轻工大学

Inventor： 关金涛 ,  李诗妍 ,  洪磊 ,  刘豪浩 ,  王聪 ,  张智勇 ,  乔俊飞 ,  陈红梅 ,  蔡雄辉 ,  丁佩佩 ,  汪相如 ,  余承勇 ,  赵怿哲 ,  高时汉 ,  胡俊祥

IPC: C09K19/12 ,  C09K19/42

Abstract: 本发明公开一种异硫氰基含氟四联苯类液晶化合物及其制备方法、液晶组合物及应用，异硫氰基含氟四联苯类液晶化合物的结构中同时具有四联苯结构、烷基取代基、F原子以及‑NCS等基团，四联苯结构使得所述液晶化合物具有光学各向异性大和的优点，烷基取代基能够降低液晶化合物的熔点，使得所述液晶化合物具有相对较低熔点的优势，F原子能增大液晶化合物的介电常数，‑NCS基团延长了四联苯π‑电子共轭体系的长度，能增大液晶化合物的光学各向异性，将该类液晶化合物应用到高介电各向异性液晶材料中时，由于这些基团的综合作用，有利于降低液晶微波器件的介电损耗，提高相位调制能力和提高液晶材料的品质因数。