基于偏芯保偏光纤干涉增强的OCT成像方法

    公开(公告)号:CN105030202B

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201510458036.9

    申请日:2015-07-30

    IPC分类号: A61B5/00

    摘要: 本发明公开了一种基于偏芯保偏光纤干涉增强的OCT成像方法,包括步骤:利用偏芯保偏光纤作为探测臂光纤,通过其将光照射到样品组织上,再提取反射光束,对反射光束进行偏振态调节后进行干涉,得到清晰的样本组织光信号;将调节好的样本组织光信号转化为微弱电信号,并对转化后的微弱电信号进行放大和调理,再分别对同一区域的图像信息进行两次采集;将采集后的图像信息进行去噪算法和图像拼接算法处理,并进行最终还原,得到所需清晰的样本图像信息。

    偏芯保偏光纤传感器及其OCT成像装置

    公开(公告)号:CN104983403B

    公开(公告)日:2017-12-08

    申请号:CN201510459546.8

    申请日:2015-07-30

    IPC分类号: A61B5/00

    摘要: 本发明公开了一种偏芯保偏光纤传感器及其OCT成像装置,其中偏芯保偏光纤传感器包括探测臂、第一增透镜、光路调节镜和光学延时线,所述探测臂利用偏芯保偏光纤作为探测臂光纤;该偏芯保偏光纤传感器还包括平衡接收器、第二增透镜、参考反射镜和偏振控制器。本发明利用偏芯保偏光纤制作出适合生物组织探测的传感器,并将此传感器用于OCT成像系统中,增强了光信号的强度,提高了图像质量。

    高介电常数X8R型多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN105036734B

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201510359526.3

    申请日:2015-06-25

    IPC分类号: C04B35/468 C04B35/622

    摘要: 本发明涉及一种高介电常数X8R型多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法,该材料化学式为0.9BaTiO3‑0.1Na0.5Bi0.5TiO3‑0.02Nb2O5‑xM2O3(M=Mn,Fe,In),其中x=0.003~0.006。其制备方法为:1)制备Na0.5Bi0.5TiO3粉料;2)制备BaTiO3粉料;3)根据金属元素化学计量比配料,将原料放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨,并经烘干得到陶瓷粉体;4)将陶瓷粉体研磨、造粒、过筛,干压成型得到陶瓷生坯;5)将陶瓷生坯排胶后烧结即得到。本发明制备的介质陶瓷材料具有良好的介电常数宽温稳定性、较高的介电常数和较低的介电损耗。

    高介电常数X8R型多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN105036734A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510359526.3

    申请日:2015-06-25

    IPC分类号: C04B35/468 C04B35/622

    摘要: 本发明涉及一种高介电常数X8R型多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法,该材料化学式为0.9BaTiO3-0.1Na0.5Bi0.5TiO3-0.02Nb2O5-xM2O3(M=Mn,Fe,In),其中x=0.003~0.006。其制备方法为:1)制备Na0.5Bi0.5TiO3粉料;2)制备BaTiO3粉料;3)根据金属元素化学计量比配料,将原料放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨,并经烘干得到陶瓷粉体;4)将陶瓷粉体研磨、造粒、过筛,干压成型得到陶瓷生坯;5)将陶瓷生坯排胶后烧结即得到。本发明制备的介质陶瓷材料具有良好的介电常数宽温稳定性、较高的介电常数和较低的介电损耗。

    基于偏芯保偏光纤干涉增强的OCT成像方法

    公开(公告)号:CN105030202A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510458036.9

    申请日:2015-07-30

    IPC分类号: A61B5/00

    摘要: 本发明公开了一种基于偏芯保偏光纤干涉增强的OCT成像方法,包括步骤:利用偏芯保偏光纤作为探测臂光纤,通过其将光照射到样品组织上,再提取反射光束,对反射光束进行偏振态调节后进行干涉,得到清晰的样本组织光信号;将调节好的样本组织光信号转化为微弱电信号,并对转化后的微弱电信号进行放大和调理,再分别对同一区域的图像信息进行两次采集;将采集后的图像信息进行去噪算法和图像拼接算法处理,并进行最终还原,得到所需清晰的样本图像信息。