公开(公告)号：CN1889274A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200610019781.4

申请日：2006-08-01

Applicant: 武汉大学

Inventor： 方国家 ,  何俊 ,  李春 ,  程彦钊

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线同质pn结二极管及其制备方法，该硅纳米线同质pn结二极管的pn结是用硼扩散工艺在n型导电硅片上扩散形成p型导电层，形成平面同质pn结，再用无电极金属电化学沉积法自组装形成的纳米结构为模板，在该平面pn结硅片上刻蚀形成纳米线，制备出的硅纳米线同质pn结。此pn结二极管制备方法的突出特点是：制备纳米线所需温度接近室温、设备简单、成本低廉、可大面积快速制备、工艺参数较易控制。所制备出的硅纳米线pn结阵列的正向开启电流密度和反向饱和电流密度相对于平面pn结均有所增大。

公开(公告)号：CN1889275A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200610019782.9

申请日：2006-08-01

Applicant: 武汉大学

Inventor： 方国家 ,  李春 ,  程彦钊 ,  何俊

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法，该二极管的特殊之处是其pn结是在以垂直定向生长的p－型硅纳米线阵列中沉积n型宽带隙氧化物而成的p－硅纳米线/n－宽带隙氧化物异质pn结。该二极管的制备方法为：先用无电极金属电化学沉积法在p型硅片上电化学刻蚀形成p型硅纳米线，再以形成的垂直排列的p型硅纳米线阵列为模板沉积n型宽带隙氧化物，最后在p型硅背面和n型氧化锌表面分别溅射金属电极，通过后退火合金化形成欧姆接触电极。此方法所制备的p－Si/n－宽带隙氧化物异质pn结二极管充分利用了纳米结构所具有的大的比表面积，增加了载流子复合几率，具有较低的正向开启电压和大的正向电流密度。

公开(公告)号：CN1917251A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200610124505.4

申请日：2006-09-12

Applicant: 武汉大学

Inventor： 方国家 ,  程彦钊 ,  李春

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开了一种n－硅纳米线/p－导电有机物异质pn结二极管及其制备方法，该异质pn结二极管是由n型硅片上生长出的硅纳米线和硅纳米线间的缝隙中填充的p型导电有机物组成。该异质pn结二极管的制备方法是首先用无电金属沉积法在n型硅片上生长出硅纳米线，然后用甩胶方法先后将有机聚合物绝缘层和p型导电有机物填充入纳米线间的空隙形成异质pn结或用甩胶方法直接将p型导电有机物填充入纳米间的空隙线形成异质pn结，最后用溅射或热蒸发制作金属电极。这种新型的异质pn结二极管具有较低的正向开启电压和较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度，而且其制备方法工艺简单、成本低廉。

公开(公告)号：CN100424892C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200610019782.9

申请日：2006-08-01

Applicant: 武汉大学

Inventor： 方国家 ,  李春 ,  程彦钊 ,  何俊

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种基于硅纳米线的异质pn结二极管及其制备方法，该二极管的特殊之处是其pn结是在以垂直定向生长的p-型硅纳米线阵列中沉积n型宽带隙氧化物而成的p-硅纳米线/n-宽带隙氧化物异质pn结。该二极管的制备方法为：先用无电极金属电化学沉积法在p型硅片上电化学刻蚀形成p型硅纳米线，再以形成的垂直排列的p型硅纳米线阵列为模板沉积n型宽带隙氧化物，最后在p型硅背面和n型氧化锌表面分别溅射金属电极，通过后退火合金化形成欧姆接触电极。此方法所制备的p-Si/n-宽带隙氧化物异质pn结二极管充分利用了纳米结构所具有的大的比表面积，增加了载流子复合几率，具有较低的正向开启电压和大的正向电流密度。