-
公开(公告)号:CN112768654A
公开(公告)日:2021-05-07
申请号:CN202110028255.9
申请日:2021-01-08
Applicant: 武汉大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯‑Si‑O‑C复合负极材料的制备方法。步骤为:1)将氧化石墨烯加入到硅烷改性聚酯中,超声分散后加入抗坏血酸得氧化石墨烯/有机硅改性聚酯;2)将步骤1)得到的氧化石墨烯/有机硅改性聚酯室温硫化,加热还原氧化石墨烯,然后在惰性气体氛围中碳化即得石墨烯‑Si‑O‑C复合负极材料。该方法操作简单,生产工艺方便可行,原料成本低,所得复合负极材料中可实现石墨烯和硅氧碳的均匀分布,作为负极材料电化学性能优异,具有广泛的工业化生产前景。
-
公开(公告)号:CN112768654B
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202110028255.9
申请日:2021-01-08
Applicant: 武汉大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯‑Si‑O‑C复合负极材料的制备方法。步骤为:1)将氧化石墨烯加入到硅烷改性聚酯中,超声分散后加入抗坏血酸得氧化石墨烯/有机硅改性聚酯;2)将步骤1)得到的氧化石墨烯/有机硅改性聚酯室温硫化,加热还原氧化石墨烯,然后在惰性气体氛围中碳化即得石墨烯‑Si‑O‑C复合负极材料。该方法操作简单,生产工艺方便可行,原料成本低,所得复合负极材料中可实现石墨烯和硅氧碳的均匀分布,作为负极材料电化学性能优异,具有广泛的工业化生产前景。
-