公开(公告)号：CN118630230A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410659396.4

申请日：2024-05-27

Applicant: 武汉大学

Inventor： 庄林 ,  肖丽 ,  周宇恒 ,  白子涵 ,  王厚德

IPC: H01M4/88 ,  B05D5/08 ,  B05B17/06 ,  B05B12/18 ,  B05D1/02 ,  H01M4/86 ,  H01M8/1004 ,  H01M8/1018

Abstract: 本申请涉及膜电极制备领域，具体公开了一种可调节催化层疏水性的膜电极制备方法，制备装置包括超声雾化面和第一出液口，以及位于第一出液口侧面的第二出液口、位于第一出液口上方的导流气口和位于第一出液口下方的基底；制备方法包括以下步骤：将催化剂墨水和改性剂分别通过第一出液口和第二出液口泵出至超声雾化面，催化剂墨水和改性剂经过超声雾化面雾化并混合后，由导流气吹扫至放置于基底的碱性膜上并沉积成催化层，将沉积有催化层的碱性膜与气体扩散层组装得到膜电极。本申请适用于改性催化层的制备，改善了改性剂直接加入催化剂墨水带来的分散性降低的问题；通过改变改性剂的种类和喷涂浓度，能够实现催化层疏水性的调控。