异常检测装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108387844A

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201711239289.2

    申请日:2017-11-30

    CPC classification number: H01M10/486 H01M10/0525 H01M10/4235 H01M10/4285

    Abstract: 本发明提供一种通过更简单且小型或者低成本的结构,检测物品中的发热等异常导致的变形,从而能够抑制物品的异常导致事故发生的异常检测装置。例如,通过测量锂离子电池(B)的变形来检测该电池(B)的异常的异常检测装置(1),具有:密闭容器(3),包含水等流体(4)并将该流体密闭,并且密接电池(B)的外表面的至少一部分而配置,且具有挠性;以及压力传感器(4),测量随着电池(B)的变形而产生的密闭容器(B)的内部的变化。

    异常检测装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108387844B

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN201711239289.2

    申请日:2017-11-30

    Abstract: 本发明提供一种通过更简单且小型或者低成本的结构,检测物品中的发热等异常导致的变形,从而能够抑制物品的异常导致事故发生的异常检测装置。例如,通过测量锂离子电池(B)的变形来检测该电池(B)的异常的异常检测装置(1),具有:密闭容器(3),包含水等流体(4)并将该流体密闭,并且密接电池(B)的外表面的至少一部分而配置,且具有挠性;以及压力传感器(4),测量随着电池(B)的变形而产生的密闭容器(B)的内部的变化。

    半导体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN101825506A

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN201010002870.4

    申请日:2010-01-21

    Abstract: 本发明提供一种膜片不易破损并且传感器灵敏度的偏差也小的半导体传感器以及制造方法。在隔着SiO2膜(23)将Si基板(22)和Si薄膜(24)贴合的SOI基板的下表面形成凹部(26)。Si薄膜(24)的一部分成为作为感压区域的膜片(25)。在凹部(26)的上表面外周部,SiO2膜(23)将膜片(25)的下表面外周部覆盖,并且在凹部26上表面的除外周部之外的区域使膜片(25)的下表面露出。将膜片(25)的下表面外周部覆盖的SiO2膜(23)(加强部23a)在下表面形成锥形,随着从膜片(25)的外周侧朝向膜片(25)的中心部,其膜厚逐渐减薄。

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