保护电路以及充电用设备
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119836724A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202380064031.0

    申请日:2023-11-21

    Abstract: 本公开简单地确保相对于向人体的漏电流的安全性。一种保护电路,该保护电路是露出的接触正极端子、第一接触负极端子和第二接触负极端子与电力输出部的正极端子和接地端子之间的保护电路,具备:P型MOSFET;第一电路,将接触正极端子与P型MOSFET的漏极端子连接;第二电路,将正极端子与P型MOSFET的源极端子连接;第一N型MOSFET;第三电路,将第二接触负极端子与第一N型MOSFET的漏极端子连接并接地;第四电路,将接地端子与第一N型MOSFET的源极端子连接;第五电路,将第一接触负极端子与第四电路经由电阻连接;第六电路,将P型MOSFET的栅极端子与第五电路在第一接触负极端子与电阻之间连接;和第七电路,将第一N型MOSFET的栅极端子与第五电路在第六电路与电阻之间连接。

    保护电路以及充电用设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119856359A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202380064032.5

    申请日:2023-11-21

    Abstract: 本公开以简单的结构确保针对向人体的漏电流的安全性。一种保护电路,将接触正极端子、第一接触负极端子和第二接触负极端子与正极端子和接地端子连接,其中,所述接触正极端子、所述第一接触负极端子和所述第二接触负极端子在供连接于具备二次电池的设备的连接器部中露出于外部,所述正极端子和所述接地端子设于电力输出部,所述电力输出部经由接触正极端子、第一接触负极端子和第二接触负极端子输出供给至二次电池的电力,所述保护电路的特征在于,具备:P型MOSFET,连接于接触正极端子与正极端子之间;第一电路,将接触正极端子与P型MOSFET的漏极端子连接;第二电路,将正极端子与P型MOSFET的源极端子连接;第三电路,将第二电路与第一接触负极端子经由电阻连接;第四电路,将P型MOSFET的栅极端子连接在第三电路的第一接触负极端子与电阻之间;以及第五电路,将第二接触负极端子与接地端子连接。

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