公开(公告)号：CN102947674A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180019449.7

申请日：2011-04-15

Applicant: 森松诺尔有限公司

Inventor： 佐蒙德·基特尔斯兰德 ,  丹尼尔·勒珀达图 ,  西塞尔·雅各布森

IPC: G01C19/5712

CPC classification number: G01C19/5712

Abstract: 本发明提供了用于角速率传感器的微机电系统（MEMS）结构，该结构位于由多个结构化硅部分形成的第一和第二硅-绝缘体复合晶片之间，结构化硅部分通过绝缘体材料彼此电绝缘，该结构包括：被构造形成传感系统和框架的单晶硅衬底，传感系统与框架完全分离并被框架围绕，框架位于第一和第二复合晶片的啮合表面之间，使得传感系统被密封在由第一和第二复合晶片以及框架限定的腔内，传感系统包括：具有前表面和后表面的两个敏感质量块；两个驱动梁，每个驱动梁具有连接到敏感质量块的第一端和通过设置在硅衬底上的固定基座连接到第一和第二复合晶片的第二端；以及布置成直接连接在这两个敏感质量块之间，并使这两个敏感质量块的主运动同步的弯曲弹簧，敏感质量块中的每个被布置成具有绕着实质上垂直于硅衬底的平面的轴的第一旋转自由度，且敏感质量块和驱动梁被布置成具有绕着实质上与驱动梁的纵轴重合的轴的第二旋转自由度；和用于产生并探测由这两个敏感质量块的在第一旋转自由度中反相的主振荡组成的主运动的装置；以及探测由这两个敏感质量块的在第二旋转自由度中反相的次级振荡组成的次级运动的装置，产生并探测主运动的装置和探测次级运动的装置设置被在第一和第二敏感质量块中的每个的前表面和后表面上，其中传感系统被布置成使得当设备受到绕着实质上在硅衬底的平面中且垂直于梁的纵轴的第三轴的角速度时，引起敏感质量块的次级振荡的科里奥利力产生。

公开(公告)号：CN102947674B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180019449.7

申请日：2011-04-15

Applicant: 森松诺尔有限公司

Inventor： 佐蒙德·基特尔斯兰德 ,  丹尼尔·勒珀达图 ,  西塞尔·雅各布森

IPC: G01C19/5712

CPC classification number: G01C19/5712

Abstract: 本发明提供了用于角速率传感器的微机电系统（MEMS）结构，该结构位于由多个结构化硅部分形成的第一和第二硅-绝缘体复合晶片之间，结构化硅部分通过绝缘体材料彼此电绝缘，该结构包括：被构造形成传感系统和框架的单晶硅衬底，传感系统与框架完全分离并被框架围绕，框架位于第一和第二复合晶片的啮合表面之间，使得传感系统被密封在由第一和第二复合晶片以及框架限定的腔内，传感系统包括：具有前表面和后表面的两个敏感质量块；两个驱动梁，每个驱动梁具有连接到敏感质量块的第一端和通过设置在硅衬底上的固定基座连接到第一和第二复合晶片的第二端；以及布置成直接连接在这两个敏感质量块之间，并使这两个敏感质量块的主运动同步的弯曲弹簧，敏感质量块中的每个被布置成具有绕着实质上垂直于硅衬底的平面的轴的第一旋转自由度，且敏感质量块和驱动梁被布置成具有绕着实质上与驱动梁的纵轴重合的轴的第二旋转自由度；和用于产生并探测由这两个敏感质量块的在第一旋转自由度中反相的主振荡组成的主运动的装置；以及探测由这两个敏感质量块的在第二旋转自由度中反相的次级振荡组成的次级运动的装置，产生并探测主运动的装置和探测次级运动的装置设置被在第一和第二敏感质量块中的每个的前表面和后表面上，其中传感系统被布置成使得当设备受到绕着实质上在硅衬底的平面中且垂直于梁的纵轴的第三轴的角速度时，引起敏感质量块的次级振荡的科里奥利力产生。

公开(公告)号：CN102947217A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180019427.0

申请日：2011-04-15

Applicant: 森松诺尔有限公司

Inventor： 佐蒙德·基特尔斯兰德 ,  丹尼尔·勒珀达图 ,  西塞尔·雅各布森 ,  特朗德·维斯特高

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/0032 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/058

Abstract: 一种在用于制造密封结构的硅－绝缘体复合晶片内提供密封的方法，包括步骤：图案化第一硅晶片，以使该第一硅晶片具有至少部分地延伸穿过该第一硅晶片的一个或多个凹槽；利用绝缘体材料填充所述凹槽，该绝缘体材料能够被阳极键合到硅，以形成具有多个硅－绝缘体界面和由绝缘体材料组成的第一接触表面的第一复合晶片；以及在该第一接触表面以及与其相对的第二接触表面上利用阳极键合技术，以在硅－绝缘体界面间产生密封，其中，该第二接触表面由硅组成。