公开(公告)号：CN119194438A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411361051.7

申请日：2024-09-27

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 岳高 ,  陈必洋 ,  李宁 ,  刘海浪 ,  刘飞 ,  任文盛 ,  罗厅

IPC: C23C24/08 ,  C23C10/30

Abstract: 本发明涉及一种包含复合阻扩散层的抗高温氧化硅化物涂层的制备方法，包括MoSi2外层、WSi2‑YSZ阻扩散层以及和基体间较薄的NbSi2与Nb5Si3互扩散层，外层为涂层提供了良好的高温抗氧化性能，阻扩散层可有效减缓涂层与基体间的元素互扩散，减少有益元素Si的损耗，互扩散层与基体之间形成冶金结合，能提高外部涂层与基体界面结合。本发明对含WSi2‑20％YSZ阻扩散层试样进行1400℃恒温氧化100h后其氧化增重1.5mg/cm2；同时与无阻扩散层烧结试样相比，氧化100h氧化膜厚度与扩散层厚度分别减少28.5％以及29.2％，且氧化膜无剥落，涂层与基体合金界面结合良好。