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公开(公告)号：CN104503021B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201510035084.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种表面等离子体慢光波导，金属基底为上下两块，介质光栅的栅条上、下两端分别经加载介质层与上、下金属基底连接。介质光栅的栅条以上、下金属基底之间的水平中心线为上下对称，各栅条的宽度a相等、间距b相等，栅条的高度由一端向另一端以相同的增幅2dh逐渐递增，最少为4根栅条。栅条之间为空气或者为真空。最优选择金属基底为银，介质光栅为硅，加载介质层为二氧化硅。本发明表面等离子体的传输损耗大幅度下降，在一定范围内同时具备传播速度小和损耗小的优势，上下金属基底包围了介质光栅，场被约束在栅条中，有极强场的约束性，同时得到损耗低、约束性强及群速度小的优势。
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公开(公告)号：CN104503021A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201510035084.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明为一种表面等离子体慢光波导，金属基底为上下两块，介质光栅的栅条上、下两端分别经加载介质层与上、下金属基底连接。介质光栅的栅条以上、下金属基底之间的水平中心线为上下对称，各栅条的宽度a相等、间距b相等，栅条的高度由一端向另一端以相同的增幅2dh逐渐递增，最少为4根栅条。栅条之间为空气或者为真空。最优选择金属基底为银，介质光栅为硅，加载介质层为二氧化硅。本发明表面等离子体的传输损耗大幅度下降，在一定范围内同时具备传播速度小和损耗小的优势，上下金属基底包围了介质光栅，场被约束在栅条中，有极强场的约束性，同时得到损耗低、约束性强及群速度小的优势。
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公开(公告)号：CN204374476U
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201520050227.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型为一种表面等离子体慢光波导，金属基底为上下两块，介质光栅的栅条上、下两端分别经加载介质层与上、下金属基底连接。介质光栅的栅条以上、下金属基底之间的水平中心线为上下对称，各栅条的宽度a相等、间距b相等，栅条的高度由一端向另一端以相同的增幅2dh逐渐递增，最少为4根栅条。栅条之间为空气或者为真空。最优选择金属基底为银，介质光栅为硅，加载介质层为二氧化硅。本实用新型表面等离子体的传输损耗大幅度下降，在一定范围内同时具备传播速度小和损耗小的优势，上下金属基底包围了介质光栅，场被约束在栅条中，有极强场的约束性，同时得到损耗低、约束性强及群速度小的优势。
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