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公开(公告)号：CN119695508A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411930274.0
申请日：2024-12-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于超表面的太赫兹电场增强器件，由二氧化硅基底和位于其表面能实现太赫兹电场增强的超表面组成。超表面由周期性阵列金属结构组成，每个阵列单元包含1个口字形金属框，两个一字形金属条和两个“T”字形金属图案。口字形金属框位于阵列单元的正中央，两个一字形金属条分别与口字形金属框的左右两边中央相连。两个“T”字形金属图案分别与口字形金属框的上下两边垂直相交，两个“T”字形图案的水平臂平行，且在两臂之间有一条间隙。当间隙宽度小于100nm时，间隙中的太赫兹电场将显著增强。该增强效应源于超表面结构与入射太赫兹波的共振响应产生的强烈局部化效应。该太赫兹电场增强器件可应用于太赫兹波探测、成像、传感和通信等领域。
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