公开(公告)号：CN118444498B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202410693974.6

申请日：2024-05-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙逢圆 ,  李钰佳 ,  彭麟 ,  赵其祥 ,  王宜颖 ,  郭立伟 ,  莫昆山

IPC: G02F1/03

Abstract: 本发明提供了基于水热法KTP晶体的电光光束偏转器，包括KTP晶体抛物线型波导基底、锯齿阵列接电金属电极和接地金属电极，锯齿阵列接电金属电极和接地金属电极在KTP晶体抛物线型波导基底的同一水平面上。本发明中的基于水热法KTP晶体的电光光束偏转器，利用水热法KTP晶体最大电光系数r33＝37.815pm/V，最大化水热法KTP晶体电光效应的使用；该结构接电金属电极为锯齿状阵列排列，在外加电压的作用下，可呈现梯度电场分布，实现光束的连续偏转；将接电金属电极和接地金属电极放置在同一平面上，形成行波电极，有效提高光束偏转精度和光束偏转器的稳定性。而且接电金属电极为锯齿状阵列排列，能将电场集中于锯齿尖端，有效控制光束的偏转方向。

公开(公告)号：CN118444498A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410693974.6

申请日：2024-05-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 孙逢圆 ,  李钰佳 ,  彭麟 ,  赵其祥 ,  王宜颖 ,  郭立伟 ,  莫昆山

IPC: G02F1/03

Abstract: 本发明提供了基于水热法KTP晶体的电光光束偏转器，包括KTP晶体抛物线型波导基底、锯齿阵列接电金属电极和接地金属电极，锯齿阵列接电金属电极和接地金属电极在KTP晶体抛物线型波导基底的同一水平面上。本发明中的基于水热法KTP晶体的电光光束偏转器，利用水热法KTP晶体最大电光系数r33＝37.815pm/V，最大化水热法KTP晶体电光效应的使用；该结构接电金属电极为锯齿状阵列排列，在外加电压的作用下，可呈现梯度电场分布，实现光束的连续偏转；将接电金属电极和接地金属电极放置在同一平面上，形成行波电极，有效提高光束偏转精度和光束偏转器的稳定性。而且接电金属电极为锯齿状阵列排列，能将电场集中于锯齿尖端，有效控制光束的偏转方向。