公开(公告)号：CN117612850A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311636758.X

申请日：2023-12-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 姚青荣 ,  江莎莎 ,  田伟庆 ,  于霄畅 ,  肖黎明 ,  卢照 ,  甘芳瑜 ,  邓健秋

IPC: H01F41/00 ,  H01F1/01 ,  C22C1/02 ,  C22C28/00

Abstract: 本发明涉及磁制冷材料技术领域，具体涉及一种掺杂钴的镧铁硅基材料及其制备方法和应用；所述掺杂钴的镧铁硅基材料化学式为：LaFe11.8‑xCoxSi1.2，其中，0＜x≤0.6；制备方法包括：将所述掺杂钴的镧铁硅基材料合金铸锭进行高温退火热处理、淬火获得所述镧铁硅基材料；高温退火、淬火处理步骤包括为：(a)惰性气氛下，将合金铸锭以0.8‑2.5℃/min的升温速率从室温升温至600‑800℃，并保温6‑8D；(b)之后以0.5‑1.8℃/min的升温速率升温至900‑980℃，并保温2‑3D；(c)再以0.5‑1.2℃/min的升温速率升温至1020‑1100℃，并保温5‑8D；(d)最后以0.3‑0.8℃/min的升温速率升温至1150‑1250℃保温4‑5D；(e)冷却降温至400‑600℃，之后采用冰水淬火或油淬淬火。