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发明公开
一种Te掺杂A2SnCl6钙钛矿材料及其制备方法无效

公开(公告)号：CN110803711A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201911126275.9

申请日：2019-11-18

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 曾若生 , 白坤 , 蔡春晓 , 科宝

IPC: C01G19/04 , C01G19/00 , C09K11/61 , C09K11/66

Abstract: 本发明公开了一种Te掺杂A2SnCl6钙钛矿材料及其制备方法，所述Te掺杂A2SnCl6钙钛矿材料中A=Cs、Rb、K，以含铯化合物、含铷化合物、含钾化合物、含锡化合物、含碲化合物为反应试剂，以浓HCl为溶剂，制备得到Te掺杂A2SnCl6钙钛矿材料，并探究了温度对A2SnCl6钙钛矿材料发光效率的影响。本发明采用溶剂热法制得的Te掺杂A2SnCl6钙钛矿材料结晶好，质量高，可以快速大量合成，且工艺简单可控，通过调整Te/Sn的投料比，能够有效实现不同浓度的掺杂，具有很好的重复性。

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