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公开(公告)号:CN119164916A
公开(公告)日:2024-12-20
申请号:CN202411277210.5
申请日:2024-09-12
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3586
Abstract: 本发明涉及太赫兹超材料传感器技术领域,具体是发明一种基于石墨烯超材料的三重等离子体诱导透明太赫兹传感器。本发明先是设计了一种由一个石墨烯十字和三组石墨烯条带为单元结构的单层超材料,该超材料具有中心对称结构,当入射光为太赫兹波时,其透射光谱能够在两个极化方向上产生相同的三重等离子体诱导透明(PIT)现象。基于PIT窗口对折射率变化灵敏这一特性,本发明用所设计的超材料完成了一种在太赫兹波段的折射率传感器设计。具体是在铜箔上形成石墨烯层,然后将石墨烯转移到二氧化硅衬底上。采用机械自旋镀膜法在超材料的表面添加离子凝胶层,并将电极添加到器件上,最后连接到电源上。本发明在太赫兹波段实现了高灵敏度、高品质因数Q值的传感,解决了现有太赫兹传感器结构复杂,传感灵敏度较低以及品质因数较差的缺陷。此外,本发明具有极化无关的特性,受入射角变化的影响较小,且具有良好的慢光效应。本发明还具有可调谐性,可以通过调节外部电压控制三重PIT窗口的频移和开关,适用于复杂的实验环境。