公开(公告)号：CN106374929B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN201611096658.2

申请日：2016-12-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  洪喆颖 ,  徐卫林 ,  韦保林 ,  韦雪明

IPC: H03M1/34

Abstract: 本发明公开一种快速响应动态锁存比较器，包括尾开关单元、预放大输入单元、预放大复位单元、锁存输入单元、交叉耦合锁存结构单元、隔离开关单元、锁存复位单元和正反馈单元。隔离开关单元在复位阶段截止，并在锁存输入NMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的PMOS管栅电位为地GND，在锁存复位PMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的NMOS管栅电位为VDD，使得交叉耦合锁存结构在进入比较阶段时迅速建立正反馈，进而提高比较器速度。本发明能够在不增加功耗的前提下，改善了传统双尾动态锁存比较器随差分输入电压减小延时急剧增加的不足，降低了比较器延时对差分输入电压的灵敏度，提高了比较器性能。

公开(公告)号：CN106374929A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201611096658.2

申请日：2016-12-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  洪喆颖 ,  徐卫林 ,  韦保林 ,  韦雪明

IPC: H03M1/34

CPC classification number: H03M1/34

Abstract: 本发明公开一种快速响应动态锁存比较器，包括尾开关单元、预放大输入单元、预放大复位单元、锁存输入单元、交叉耦合锁存结构单元、隔离开关单元、锁存复位单元和正反馈单元。隔离开关单元在复位阶段截止，并在锁存输入NMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的PMOS管栅电位为地GND，在锁存复位PMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的NMOS管栅电位为VDD，使得交叉耦合锁存结构在进入比较阶段时迅速建立正反馈，进而提高比较器速度。本发明能够在不增加功耗的前提下，改善了传统双尾动态锁存比较器随差分输入电压减小延时急剧增加的不足，降低了比较器延时对差分输入电压的灵敏度，提高了比较器性能。

公开(公告)号：CN206259921U

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201621315892.5

申请日：2016-12-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 段吉海 ,  洪喆颖 ,  徐卫林 ,  韦保林 ,  韦雪明

IPC: H03M1/34

Abstract: 本实用新型公开一种快速响应动态锁存比较器，包括尾开关单元、预放大输入单元、预放大复位单元、锁存输入单元、交叉耦合锁存结构单元、隔离开关单元、锁存复位单元和正反馈单元。隔离开关单元在复位阶段截止，并在锁存输入NMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的PMOS管栅电位为地GND，在锁存复位PMOS对管的作用下使交叉耦合锁存结构中的NMOS管栅电位为VDD，使得交叉耦合锁存结构在进入比较阶段时迅速建立正反馈，进而提高比较器速度。本实用新型能够在不增加功耗的前提下，改善了传统双尾动态锁存比较器随差分输入电压减小延时急剧增加的不足，降低了比较器延时对差分输入电压的灵敏度，提高了比较器性能。