公开(公告)号：CN118771469A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410728835.2

申请日：2024-06-06

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 俞兆喆 ,  童启林 ,  程燕 ,  梁昌浪 ,  吕晨潇 ,  葛云晨

IPC: C01G53/00 ,  H01G11/30 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明属于电池技术领域，公开了一种限域结构三元前驱体、三元材料及其制备方法和应用。所述限域结构三元前驱体的制备方法包括：首先在前驱体成核阶段引入+6价元素，用于诱导晶核的形成，在晶核生长阶段再依次改变反应条件引入+5价、+4价、+3价和+2价元素。引入的+6价元素可以诱导晶核形成，使得形核过程可控，而在晶核生长阶段限域引入的离子可以调控前驱体内部疏密程度，缓解充放电过程中锂离子脱出与嵌入时产生的结构收缩所引起的应力，提高材料循环过程中的结构稳定性。本发明还提供了限域结构三元材料及其制备方法；以及限域结构三元前驱体、三元材料在锂离子电池或超级电容器中的应用。