一种基底叠加聚酰亚胺的太赫兹超材料传感器

    公开(公告)号:CN119804380A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202510005898.X

    申请日:2025-01-02

    Abstract: 本发明公开了一种基底叠加聚酰亚胺的太赫兹超材料传感器,包括高阻硅基底、叠加在高阻硅基底之上的聚酰亚胺和固定于聚酰亚胺表面的二维阵列,每个阵列单元包括一个圆环金属结构和一个方形开口环金属结构。圆环金属结构的中心与阵列单元的中心重合,包围方形开口环金属结构且无连接;方形开口环金属结构的垂直平分线与圆环金属结构的重合,且处于圆环金属结构的环内,开口位于方形开口环金属结构的上臂,且位于上臂的中心。通过在高阻硅基底之上引入一层聚酰亚胺,使本发明的传感器具有更高的谐振强度、灵敏度和品质因素,而且制作工艺成熟,特别适合作为痕量生物分子的高灵敏度传感。

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