公开(公告)号：CN105278606A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510779707.1

申请日：2015-11-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 韦雪明 ,  朱智勇 ,  段吉海 ,  邓进丽 ,  赵洪飞 ,  乔帅领

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开一种亚阈值全CMOS基准电压源，启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点，进入正常工作状态。亚阈值运算放大器保证低功耗的同时，提供更大的增益，提高电源电压抑制比。纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流，抑制电源噪声，为基准电压产生电路提供电流偏置。基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差，通过相互调节，得到一个与温度无关的参考电压。本发明未使用无源电阻、二极管或者三极管，与标准CMOS工艺兼容，大大减小了版图面积，降低了生产成本，功耗低，同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。

公开(公告)号：CN105278606B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201510779707.1

申请日：2015-11-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 韦雪明 ,  朱智勇 ,  段吉海 ,  邓进丽 ,  赵洪飞 ,  乔帅领

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明公开一种亚阈值全CMOS基准电压源，启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点，进入正常工作状态。亚阈值运算放大器保证低功耗的同时，提供更大的增益，提高电源电压抑制比。纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流，抑制电源噪声，为基准电压产生电路提供电流偏置。基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差，通过相互调节，得到一个与温度无关的参考电压。本发明未使用无源电阻、二极管或者三极管，与标准CMOS工艺兼容，大大减小了版图面积，降低了生产成本，功耗低，同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。

公开(公告)号：CN205139757U

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201520900615.X

申请日：2015-11-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 韦雪明 ,  朱智勇 ,  段吉海 ,  邓进丽 ,  赵洪飞 ,  乔帅领

IPC: G05F1/56

Abstract: 本实用新型公开一种亚阈值全CMOS基准电压源，启动电路帮助基准电压源摆脱简并偏置点，进入正常工作状态。亚阈值运算放大器保证低功耗的同时，提供更大的增益，提高电源电压抑制比。纳安基准电流产生电路产生纳安量级的基准电流，抑制电源噪声，为基准电压产生电路提供电流偏置。基准电压产生电路采用2种具有不同标准电压的MOS管栅源电压差，通过相互调节，得到一个与温度无关的参考电压。本实用新型未使用无源电阻、二极管或者三极管，与标准CMOS工艺兼容，大大减小了版图面积，降低了生产成本，功耗低，同时具有高电源抑制比、低温漂系数和低电源电压调整率。