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公开(公告)号：CN108039467A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711271991.7
申请日：2017-12-05
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/46 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种可用于锂离子电池负极的海绵状硅粉及其制备方法。其中海绵状硅粉的制备方法包括以下步骤：准备硅钙镁合金粉末；在硅钙镁合金粉末表面包覆铟铋合金层；通过氧化工艺氧化包覆有铟铋合金层的硅钙镁合金粉末；氧化后酸洗去除氧化物、铟、铋、钙及镁，得到初始的海绵硅粉；对初始的海绵硅粉在介质中球磨，得到微孔结构的海绵状硅粉。本发明在硅钙合金的基础上，通过与镁金属合金化，形成表面包覆硅镁合金的硅镁钙合金粉，再在镁硅钙合金粉表面，形成空气中相对稳定、熔点低于镁燃点的铟铋合金层，以减小硅钙镁合金粉的着火自然风险。
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公开(公告)号：CN108011091A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711271950.8
申请日：2017-12-05
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0525 , B22F1/02 , B22F9/16
CPC classification number: H01M4/366 , B22F1/0085 , B22F1/0088 , B22F1/025 , B22F9/16 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种铟铋复合包覆镁硅铁颗粒制备泡沫状硅粉的方法，包括：准备镁硅铁复合粉末；在镁硅铁复合粉末的表面包覆铟铋合金层；将包覆有铟铋合金层的镁硅铁复合粉末进行固相扩散热处理，以促进包覆层中的铟和铋金属分别与镁硅铁反应结合；将固相扩散热处理后的镁硅铁复合粉末进行氧化处理；以及将氧化处理之后的镁硅铁复合粉末进行酸洗去除铟、铋和镁。通过采用不易氧化、熔点低于镁燃点的铟铋合金包覆镁硅铁复合颗粒，结合一定温度下的固相扩散处理和低氧氧化处理工艺是本发明获得具有微孔结构的泡沫硅粉，提高制备效率且泡沫硅粉一次颗粒度较小。
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公开(公告)号：CN109786701B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201811655486.7
申请日：2018-12-29
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种改性LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2三元正极材料的制备方法及产品和电池。该三元正极材料的制备方法包括：在制备镍钴锰氢氧化物前驱体时先引入镁元素，然后在共沉淀反应后期改用偏钨酸铵水溶液作为络合剂，利用偏钨酸铵在水中水解后以氨离子和钨酸根离子出现，将氨离子充当络合剂用于补偿共沉淀反应，而钨酸根离子在沉淀反应阶段中形成的镍钴锰氢氧化物前驱体表面上部分沉积，实现钨元素的原位引入，之后再经锂化处理以获得表面含钨元素的三元正极粉末。本发明通过添加镁元素及表面部原位掺杂钨元素，使所得改性三元正极粉末的充放电性能、循环性能等得到有效改善。
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公开(公告)号：CN108011091B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201711271950.8
申请日：2017-12-05
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0525 , B22F1/02 , B22F9/16
Abstract: 本发明公开了一种铟铋复合包覆镁硅铁颗粒制备泡沫状硅粉的方法，包括：准备镁硅铁复合粉末；在镁硅铁复合粉末的表面包覆铟铋合金层；将包覆有铟铋合金层的镁硅铁复合粉末进行固相扩散热处理，以促进包覆层中的铟和铋金属分别与镁硅铁反应结合；将固相扩散热处理后的镁硅铁复合粉末进行氧化处理；以及将氧化处理之后的镁硅铁复合粉末进行酸洗去除铟、铋和镁。通过采用不易氧化、熔点低于镁燃点的铟铋合金包覆镁硅铁复合颗粒，结合一定温度下的固相扩散处理和低氧氧化处理工艺是本发明获得具有微孔结构的泡沫硅粉，提高制备效率且泡沫硅粉一次颗粒度较小。
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公开(公告)号：CN108017057B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201711272226.7
申请日：2017-12-05
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: C01B33/021 , H01M4/62
Abstract: 本发明公开了一种锡铟合金包覆硅镁颗粒制备泡沫状硅粉的方法，包括：准备硅镁合金粉末；在硅镁合金粉末的表面包覆锡铟合金层；将包覆有锡铟合金层的硅镁合金粉末进行固相扩散热处理，以促进包覆层中的锡和铟金属分别与镁硅反应结合；将固相扩散热处理后的硅镁合金粉末进行氧化处理；以及将氧化处理之后的硅镁合金粉末进行酸洗去除锡、铟和镁。通过采用不易氧化、熔点低于镁燃点的铟锡合金包覆硅镁合金颗粒，结合一定温度下的固相扩散处理和低氧氧化处理工艺是本发明获得具有微孔结构的泡沫硅粉，提高制备效率且泡沫硅粉一次颗粒度较小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109786701A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811655486.7
申请日：2018-12-29
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种改性LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2三元正极材料的制备方法及产品和电池。该三元正极材料的制备方法包括：在制备镍钴锰氢氧化物前驱体时先引入镁元素，然后在共沉淀反应后期改用偏钨酸铵水溶液作为络合剂，利用偏钨酸铵在水中水解后以氨离子和钨酸根离子出现，将氨离子充当络合剂用于补偿共沉淀反应，而钨酸根离子在沉淀反应阶段中形成的镍钴锰氢氧化物前驱体表面上部分沉积，实现钨元素的原位引入，之后再经锂化处理以获得表面含钨元素的三元正极粉末。本发明通过添加镁元素及表面部原位掺杂钨元素，使所得改性三元正极粉末的充放电性能、循环性能等得到有效改善。
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公开(公告)号：CN109786700A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811655458.5
申请日：2018-12-29
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种包覆改性LiNi0.7Co0.1Mn0.2O2三元正极材料及其制备方法和电池。该三元正极材料的制备方法包括：在制备镍钴锰氢氧化物前驱体时先引入镁元素，然后在共沉淀反应后期改用钼酸铵水溶液作为络合剂，利用钼酸铵在水中水解后以氨离子和钼酸根离子出现，将氨离子充当络合剂用于补偿共沉淀反应，而钼酸根离子在沉淀反应阶段中形成的镍钴锰氢氧化物前驱体表面上部分沉积，实现钼元素的原位引入，之后再经锂化处理以获得表面含钼元素的三元正极粉末。本发明通过添加镁元素及表面部原位掺杂钼元素，使所得改性三元正极粉末的充放电性能、循环性能等得到有效改善。
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公开(公告)号：CN109755524A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811655459.X
申请日：2018-12-29
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种改性LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2三元正极材料的制备方法及产品和电池。该三元正极材料的制备方法包括：在制备镍钴锰氢氧化物前驱体时先引入镁元素，然后在共沉淀反应后期改用偏钨酸铵水溶液作为络合剂，利用偏钨酸铵在水中水解后以氨离子和钨酸根离子出现，将氨离子充当络合剂用于补偿共沉淀反应，而钨酸根离子在沉淀反应阶段中形成的镍钴锰氢氧化物前驱体表面上部分沉积，实现钨元素的原位引入，之后再经锂化处理以获得表面含钨元素的三元正极粉末。本发明通过添加镁元素及表面部原位掺杂钨元素，使所得改性三元正极粉末的充放电性能、循环性能等得到有效改善。
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公开(公告)号：CN108054355A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711267352.3
申请日：2017-12-05
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种锂离子电池负极用泡沫状硅粉及其制备方法。其中，泡沫状硅粉的制备方法，包括：在硅镁合金粉末的表面包覆锡铋合金层；将包覆有锡铋合金层的硅镁合金粉末进行固相扩散热处理，以促进包覆层中的锡和铋金属与镁反应结合；将固相扩散热处理后的硅镁合金粉末进行氧化处理；以及将氧化处理之后的硅镁合金粉末进行酸洗去除锡、铋和镁、在含碳有机物的介质中球磨以及煅烧，得到表面含有碳导电层的微孔结构的泡沫状硅粉。克服了现有技术中的车间镁粉粉尘易着火、爆炸的安全风险，适宜工业化批量生产，泡沫状硅粉为微孔结构，微孔空隙均匀，粉末整体氧含量低于5％；作为负极材料具有较好的导电性和较大的首次充放电库伦效率。
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公开(公告)号：CN108017057A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711272226.7
申请日：2017-12-05
Applicant: 桂林电器科学研究院有限公司
IPC: C01B33/021 , H01M4/62
Abstract: 本发明公开了一种锡铟合金包覆硅镁颗粒制备泡沫状硅粉的方法，包括：准备硅镁合金粉末；在硅镁合金粉末的表面包覆锡铟合金层；将包覆有锡铟合金层的硅镁合金粉末进行固相扩散热处理，以促进包覆层中的锡和铟金属分别与镁硅反应结合；将固相扩散热处理后的硅镁合金粉末进行氧化处理；以及将氧化处理之后的硅镁合金粉末进行酸洗去除锡、铟和镁。通过采用不易氧化、熔点低于镁燃点的铟锡合金包覆硅镁合金颗粒，结合一定温度下的固相扩散处理和低氧氧化处理工艺是本发明获得具有微孔结构的泡沫硅粉，提高制备效率且泡沫硅粉一次颗粒度较小。
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