形成三维电极结构的方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119547221A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202380052894.6

    申请日:2023-07-11

    Abstract: 本申请可以提供形成用于分析的三维电极结构的方法、存储该方法的硬件装置和形成用于分析的三维电极结构的系统。本申请可以提供用于有效地形成与实际电极匹配程度优异的电极结构的方法。另外,本申请可以提供形成适当反映了实际电极的类型和体积特性的电极结构的方法。本申请可以提供简单、快速和高效地形成上述电极结构的方法。

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