二氧化硅膜的制造方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111033688B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN201880054888.3

    申请日:2018-08-24

    Inventor: 朴光承

    Abstract: 本申请涉及一种二氧化硅膜的制造方法。本申请可以提供一种在不经历昂贵设备或高温处理的情况下能够形成对垂直载荷和切向载荷具有优异耐受性的二氧化硅膜的方法。

    二氧化硅膜的制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111033688A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201880054888.3

    申请日:2018-08-24

    Inventor: 朴光承

    Abstract: 本申请涉及一种二氧化硅膜的制造方法。本申请可以提供一种在不经历昂贵设备或高温处理的情况下能够形成对垂直载荷和切向载荷具有优异耐受性的二氧化硅膜的方法。

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