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公开(公告)号：CN111225993B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201880067001.4
申请日：2018-11-13
Applicant: 株式会社LG化学
Inventor： 申东明 , 文钟敏
IPC: C23C14/08 , C23C14/34 , H01B5/14 , H01B13/00
Abstract: 根据本申请的一个示例性实施方案的制造透明导电膜的方法包括准备基底；以及在所述基底上形成包含由式1表示的化合物的薄膜，其中薄膜的形成通过在250℃或更低的温度下的RF溅射工艺来进行。
公开(公告)号：CN111225993A
公开(公告)日：2020-06-02
