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公开(公告)号：CN101689549A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880021685.0
申请日：2008-06-23
Applicant: 株式会社LG化学
Inventor： 韩熙 , 金璟晙 , 崔棅圭
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/60
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体电容器的方法，更具体而言，涉及如下制造半导体电容器的方法：在制造下电极的过程中进行无电镀，以形成下电极。
