旋转窑
    2.
    发明公开
    旋转窑 审中-实审

    公开(公告)号:CN116438419A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202180068140.0

    申请日:2021-10-22

    IPC分类号: F27B7/08

    摘要: 本发明的一种旋转窑包括:烧结装置,所述烧结装置包括圆筒形的旋转管,所述旋转管在水平方向上旋转的同时混合输入的粉末原材料;外部加热装置,所述外部加热装置用于通过加热旋转管的外侧来加热输入旋转管的粉末原材料;和内部加热装置,所述内部加热装置用于同时地加热和搅拌输入旋转管的粉末原材料,其中,所述内部加热装置包括:微波产生单元,所述微波产生单元用于产生微波;引导单元,所述引导单元用于将由微波产生单元产生的微波引导到旋转管中;和搅拌加热单元,所述搅拌加热单元被联接到旋转管的内周表面,并且搅拌输入旋转管的粉末状原材料,并且同时,在微波被吸收时产生热量的同时加热粉末状原材料。

    用作磨料的氧化铈粉末和含有该粉末的CMP浆料

    公开(公告)号:CN101652324B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN200880011138.4

    申请日:2008-04-30

    IPC分类号: C09K3/14 C01F17/00

    摘要: 本发明公开了用作磨料的氧化铈粉末;含有该粉末的CMP浆料;以及使用该CMP浆料的浅槽隔离(STI)法。至少两种通过使用具有不同晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈以一适当比例混合,并用作CMP浆料的磨料,从而调节CMP浆料所需的抛光特性。另外,在所公开的制备碳酸铈的方法中,碳酸铈的晶体结构可简单地控制。基于在用作磨料的氧化铈中、抛光特性提高的情况取决于碳酸铈的晶体结构这一发现,至少一种抛光特性——如二氧化硅层的抛光速率、氮化硅层的抛光速率、二氧化硅层和氮化硅层之间的抛光选择性和WIWNU——可通过使用至少两种选自以下的氧化铈作为CMP浆料的磨料、并调节所述氧化铈的混合比例来调节,所述氧化铈选自(i)一种使用镧石-(Ce)晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈;(ii)一种使用正交晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈;以及(iii)一种使用六方晶体结构的碳酸铈制备的氧化铈。